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1.
Temperature dependence of the threshold of pure and impurity-doped blue bronzes has been studied. It is found that for pare blue bronzes the threshold field near 100K has an anomalous peak, but for impurity-doped samples no anomaly is observed in the range of liquid nitrogen temperature, and the value of the threshold field gradu-ally increases with the decrease of temperature. The results show that in the high-quality pure blue bronzes, there may exist an incommensurate to quasi-commensurate transition near 100K. But for the impurity-doped or "dirty" pure samples, such an incommensurate to quasi-commensurate transition near 100K can be extensively re-strained by impurities or defects, which leads to a pure incommensurate CDW in a wide temperature range. 相似文献
2.
以乙醇为溶剂, 钛酸四丁酯为前驱体, 用溶剂热法制备了Ag表面修饰的负载型纳米二氧化钛光催化剂. 利用X射线衍射(XRD)、N2吸附-脱附(BET)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)、紫外-可见(UV-Vis)光谱等技术对其进行了系统的表征, 以亚甲基蓝(MB)溶液的脱色降解为模型反应, 考察了不同Ag含量样品的光催化性能. 结果表明: 用溶剂热法制备的样品中TiO2皆为锐钛矿相, 金属Ag颗粒沉积在TiO2表面, 粒径为2 nm左右, 比表面积较溶胶凝胶法制备的样品大大增加, 最高可达151.44 m2·g-1; UV-Vis光谱和光催化实验表明: Ag修饰使TiO2对光的吸收能力大大增强, 吸收带边红移至可见光区, 亚甲基蓝在该复合材料上的光催化降解反应遵循一级反应动力学模型; 溶剂热法制备样品的光催化性能明显好于溶胶凝胶法制备的样品, 在紫外光和可见光下, Ag摩尔分数为5%的样品表现出最佳的光催化活性. 相似文献
3.
本文通过传统的固相反应法制备了R型六角铁氧体BaFe4-xTi2+xO11 (x= 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1), 并且对它的原子价态以及磁性行为进行了研究. X 射线光电子能谱(XPS)结果显示了随着掺杂含量的增加, 体系中Fe3+离子逐渐减少而Fe2+离子逐渐增加. 由于具有非对称结构的阻挫晶格中存在各种关联作用的竞争, 使得BaFe4-xTi2+xO11体系表现出了复杂的磁有序行为, 在T1~250 K和T2~83 K两处存在磁转变. 对这一系列掺杂样品, 在相变温度T1之上表现顺磁行为, 而在相变温度T2前后的磁化强度都表现出低场下随磁场的增加快速增加, 高场下则线性变化且在5×104 Oe时还未达到饱和的行为, 表明这一系列掺杂样品是典型的倾斜反铁磁态(canted antiferromagnetic) 或者亚铁磁态. 相似文献
4.
A 1.3-μm wavelength vertical-mesa ridge waveguide mulitple-quantum-well (MQW) distributed feedback (DFB) laser with high directly modulated bandwidth and wide operation temperature range is reported. With the optimization of the strained-layer MQWs in the active region, the surrounding graded-index separated-confinement-heterostructure waveguide layers, together with the optimization of the detuning and coupling coefficient of the DFB grating, high directly modulation bandwidth of 16 GHz at room temperature and wide working temperature range from -40 to 85 ℃ are obtained. The mean time to failure (MTTF) is estimated to be over 2×10^6 h. The device is suitable as light source of high-bit-rate optical transmitters with small size and reduced cost. 相似文献
5.
采用碳酸盐替代高钼酸盐电解还原的方法成功制备出了准二维电荷密度波导体钾紫青铜单晶.通过x射线衍射、透射电子显微术等方法对单晶进行结构分析表明:晶胞参数a=b=0.5540nm,c=1.3508nm,单晶为三角晶系,对称群为P3.电阻温度关系曲线的测量显示:钾紫青铜KxMo6O17单晶在112K附近发生金属到金属的Peierls相变.
关键词:
钾紫青铜
电荷密度波
Peierls相变 相似文献
6.
7.
BaxSr(1–x)TiO3 (BST)铁电薄膜因为拥有高介电常数、强电场调谐性和较低的微波频段介电损耗可应用于微波可调谐器件.然而铁电材料中普遍存在的介电常数-温度依赖性使得常规单组分铁电薄膜的高可调率温区受制于相变温度,难以满足宽温域适用性的需求.为研究可用于宽温域功能器件的铁电薄膜,采用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了单组分Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜、Ba0.2Sr0.8TiO3薄膜以及Ba0.2Sr0.8TiO3/Ba0.5Sr0.5TiO3异质结构薄膜.通过对比其介电性能,发现垂直方向上Ba/Sr组分分布可有效改善BST薄膜的温度依赖性,然而异质结构的构建可能带来界面问题,同时也使其品质因子难以提升.本文提出采用独特的水平方向连续组分薄膜制备技术制备BST组合薄膜,有... 相似文献
8.
Single crystalline silicon films are transferred on to a glass substrate by the smart-cut technique,which is based on H^ ions implantation,anodic bonding and layer transfer,Structures of the resulting thin film silicon on galss(SOG) are characterized by transmission-electron microscopy,scanning electron microscopy and Raman spectroscopy.The results show that SOG substrates fabricated by the smart-cut have advantages of steep top Si/glass interface and good monocrystalline Si quality.The Hall-effect measurement indicates that the single crystalline SOG substrates have a better electrical property compared with polycrystalline silicon SOG substrates. 相似文献
9.
10.