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本文假设埋层后或外延 NN ＋结构过渡区的杂质浓度分布为高斯分布 ，在此情况下，对高低结界面的有效复合速度作了解析分析 ．解析分析的优点是能够区分少子反射中不同物理机构的作用 ．文中计算并讨论了两个这样结构的有效复合速度及它的两个分量宇最大电场强度之间的关系.也对一些实验器件进行了计算，并与实验和Ram 等的结果作了比较 ． 相似文献
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