不同过渡层上Co/Cu/Co三明治结构的巨磁电阻效应研究

通过对不同过渡层上Co(5.5nm)/Cu(3.5nm)/Co(5.5nm)三明治结构的研究,发现过渡层的磁性及过渡层诱导的三明治晶格结构对材料的巨磁电阻效应有重要影响.反铁磁Cr过渡层由于和相邻铁磁Co层之间存在着反铁磁耦合,可以获得6％以上的巨磁电阻值,但它同时使材料的矫顽力较大,因此磁灵敏度不高.Ni和Ti过渡层上Co/Cu/Co三明治结构,由于形成了强的（111）织构,其巨磁电阻值也达到5％以上.磁性材料Ni过度层还使三明治结构材料的矫顽力大为下降,从而显著提高了材料的磁灵敏度. 关键词：     

饲料及体重对大黄鱼排氨率影响的初步研究

以大黄鱼为研究对象，进行了饲料和体重对其氨氮排泄率影响的实验．研究结果表明，大黄鱼的排氨率受饲料影响显著，投喂配合饲料的排氨率约为投喂杂鱼饲料的2倍，两者存在显著差异（P〈0．05）．投喂配合饲料的平均排氨率分别达到5．82±0．94mg·（h·kg）^-1（116．7g）、4．80±0．48mg·（h·kg）^-1（204．9g）、3．43±0．53mg·（h·kg）^-1（313．5g），而投喂杂鱼饲料的平均排氨率分别只有3．16±0．20mg·（h·kg）^-1（116．7g）、2．41±0．18mg·（h·kg）^-1（204．9g）、1．93±0．11mg·（h·kg）^-1（313．5g）；大黄鱼排氨率同样受体重影响，并且随着体重的增加排氨率减少，二者的关系式分别为线性方程：U=-0．006 1W＋3．798（R^2=0．8963）（杂鱼饲料）和U=-0．012 1W＋7．251（R^2=0．7527）（配合饲料）．     

一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展

SOI（silicon on insulator，绝缘层上的硅）技术和SiGe（silicon germanium，锗硅）技术都是微电子领域的前沿技术，SiGe-OI（SiGe-on-insulator，绝缘层上的锗硅）新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料，它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势，因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一。文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作，综述了SiGe－OI材料研究情况和应用前景，详细介绍了其主要的制备方法，最后报道了作才在SiGe－OI材料研究上的一些实验结果。     

Investigation of SOI Substrates Incorporated with Buried MoSi2 for High Frequency SiGe HBTs

Highly arsenic-doped Si-on-insulator （SOI） substrate incorporated with buried MoSi2 layers is fabricated aiming at decreasing the collector series resistance of SiGe heterojunction bipolar transistors （HBTs） on SOI, thereby enhancing cutoff frequency （fT） performance and increasing the maximum value of fT （fTMAX ）. The .fT performance at medium current is enhanced and current required for fT = 15 GHz is reduced by half The value of fTMAX is improved by 30%.     

二元掺杂镧锰氧化物La-Ca-Ba-Mn-O的庞磁电阻特性

用固相反应法制备了二元掺杂的镧锰氧化物La_0.67(Ca_0.6Ba_0.4)_0.33MnO_z(LCBMO)立方多晶体材料,研究了其磁特性和庞磁电阻特性,并与用类似方法制备的一元掺杂的La_0.67Ca_0.33MnO_z(LCMO)及La_0.67Ba_0.33MnO_z(LBMO)的庞磁电阻特性进行了比较.研究表明,LCBMO的居里温度T_C为312K,介于LCMO和LBMO的T_C（分别为280,362K）之间,其金属-半导体转变温度T_p和μ₀H=0.6T下的磁电阻（MR）峰值温度T_m分别为306,298K,接近于其T_C,也介于LCMO和LBMO的T_p和T_m之间.μ₀H=0.6T下,在各自的T_m处,LCMO,LCBMO和LBMO的庞磁电阻值分别达到41%,24.7%和8%,但在室温（300K）处,LCBMO的MR值仍达到20％,远大于LCMO和LBMO的值（分别为2.0％和2.4％）.研究还发现,在温度远低于T_m时,LCMO仍保持一定的磁电阻效应,而LCBMO和LBMO的磁电阻温度降低而增加,这些低温磁电阻特性与材料的结构特征（如晶界和致密度）有关. 关键词：     

一种新型SOI结构——SiGe-OI材料研究进展

SOI(silicononinsulator ,绝缘层上的硅 )技术和SiGe(silicongermanium ,锗硅 )技术都是微电子领域的前沿技术 .SiGe-OI(SiGe -on -insulator ,绝缘层上的锗硅 )新型材料是最近几年来才出现的一种新型SOI材料 ,它同时具备了SOI技术和SiGe技术的优势 ,因而成为当前微电子研究领域的最前沿课题之一 .文章结合中国科学院上海微系统与信息技术研究所的工作 ,综述了SiGe-OI材料研究情况和应用前景 ,详细介绍了其主要的制备方法 ,最后报道了作者在SiGe -OI材料研究上的一些实验结果 .