未掺杂SI-InP中缺陷的正电子寿命研究

在 10～ 30 0 K的温度范围内 ,测量了用液封直拉法 (L EC)生长的 n- In P经高温退火后形成的未掺杂SI- In P晶体的正电子寿命谱 .用 PATFIT和 MEL T两种技术分析了正电子寿命谱 .常温下的结果表明 ,SI- In P中存在铟空位 VIn或与杂质的复合体缺陷 .观察到在 10～ 2 2 0 K之间正电子的平均寿命 τm 随温度的升高而减小 ,表明上述缺陷是带负电荷的铟空位 VIn的氢复合体 ;但是在低温下还存在正电子浅捕获态 ,浅捕获中心很可能是反位缺陷 In2 - P ,因此在 2 2 0～ 30 0 K范围内平均寿命τm 随温度的升高而略有上升 .     

一类粗锐复合结构光子晶体的完全带隙研究

通过研究发现粗锐组合的二维复式结构光子晶体的完全带隙宽度和带隙结构随结构粗锐尺寸灵敏地改变. 而其粗锐复合结构的复合错位对带隙宽度影响不大. 对二维复式正方格子和二维复式三角格子的研究结果表明：二维复式正方格子的粗锐尺寸选择恰当时其完全带隙的带宽可大于１8％. 二维复式三角格子中的粗锐尺寸选取可导致出现单、双完全带隙两种情况. 本文给出了反映其变化规律的关系曲线. 关键词： 光子晶体 光子能隙 复式结构     

液芯波导中受激动力学散射与受激拉曼散射的竞争

研究了液芯波导中受激拉曼散射和受激动力学散射的阈值随泵浦激光脉宽的变化，发现受激动力学散射的阈值随泵浦脉冲前沿增长率增大而下降。研究了受激动力学散射和受激拉曼散射的竞争，结果表明受激动力学散射可分解为两种成分，其中与瞬态泵浦功率密度增长率相关的成分在大于阈值的泵浦脉冲前沿处于竞争优势，与瞬态泵浦功率密度相关的成分在高泵浦功率密度处于竞争优势，并讨论了其相应的机制。     

Fabrication of Two-Dimensional Photonic Crystals with Triangular Rods by Single-Exposure Holographic Lithography

We demonstrate a single-exposure holographic fabrication of two-dimensional photonic crystal with round- cornered triangular ＇atoms＇ arranged in a triangular lattice. Simulation results show that double absolute photonic band gaps exist in this structure. Our experimental results show that holographic lithography can be used to fabricate photonic crystals not only with various lattice structures but also with various kinds of structures of the atoms, to obtain absolute band gaps or a particular band gap structure. Furthermore, the single-exposure holographic method not only makes the fabrication process simple and convenient but also makes the structures of the atoms more perfect.