排序方式: 共有4条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
采用共反应溅射法将Ti添加到La_2O_3中,制备了LaTiO/Ge金属-氧化物-半导体电容,并就Ti含量对器件电特性的影响进行了仔细研究.由于Ti-基氧化物具有极高的介电常数,LaTiO栅介质能够获得高k值;然而由于界面/近界面缺陷随着Ti含量的升高而增加,添加Ti使界面质量恶化,进而使栅极漏电流增大、器件可靠性降低.因此,为了在器件电特性之间实现协调,对Ti含量进行优化显得尤为重要.就所研究的Ti/La_2O_3比率而言,18.4%的Ti/La_2O_3比率最合适.该比率导致器件呈现出高k值(22.7)、低D_(it)(5.5×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2))、可接受的J_g(V_g=1V,J_g=7.1×10~(-3)A·cm~(-2))和良好的器件可靠性. 相似文献
2.
3.
<正>交相三氧化钼(α-MoO_3)表面暴露原子较多,在湿度探测方面具有较大的应用潜力。本文利用Material Studio软件构建带有氧缺陷的非化学计量比α-MoO_3结构模型,利用基于密度泛函理论的第一性原理计算得到端氧缺陷α-MoO_3的形成能最低(约4.41eV)。研究了含有端氧缺陷的非化学计量比α-MoO_3作为基体对不同方向放置H_2O分子的吸附行为,发现H_2O分子沿垂直方向O端或水平方向以H端与基体表面Mo~(5+)作用时吸附较强,从H_2O分子向基体材料释放的电荷分别为0.11e和0.12e,使基体中载流子的密度增大并处于低阻态,进而产生对H_2O分子的敏感性能。该计算结果和文献实验结果一致。 相似文献
4.
Comprehensive first-principles calculations are performed to provide insight into the intriguing physical properties of the ternary cubic fluoride KCrF3. The electronic structures exhibit a prominent dependence on the effective local Coulomb interaction parameter Ueff. The ground state of the cubic phase is a ferromagnetic (FM) half-metal with Ueff equal to 0, 2, and 4 eV, whereas the insulating A-type antiferromagnetic (A-AFM) state with concomitant homogeneous orbital ordering is more robust than the FM state for Ueff exceeding 4 eV. We propose that the origin of the orbital ordering is purely electronic when the cooperative Jahn-Teller distortions are absent in cubic KCrF3. 相似文献
1