硅器件晶片的红外吸收研究

用红外吸收光谱法对硅器件晶片的金属杂质玷污问题,热氧化SiO2膜的质量状况和注氮SOI样品的结构进行分析,得到了有助于优选晶片及其与工艺有关的信息。检测方法是非破坏性的,适合硅材料与器件生产厂用于有关工艺的质量控制。