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利用复合靶共溅射法制备了半磁性半导体 Pb1- x Cox Se 薄膜.研究了薄膜的成分结构以及电阻率温度特性和磁化率温度特性间的关系.结果表明:由于 Co 离子介入, Pb1- x Cox Se 发生了由金属特性向半导体特性的转变,在充分低的温度下,并伴有磁相转变.磁相转变温度与磁性离子浓度相关,磁化率的相对变化幅度与磁性离子浓度有关 相似文献
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TiO2薄膜的结构和光学性质的研究 总被引:9,自引:0,他引:9
以金属钛为靶材,用反应射频溅射法制备了TiO2薄膜,并在600-900℃下进行了热处理,经XRD测量,在600-800℃下TiO2薄膜为锐钛矿和金红石两种结构的混合态,在900℃下TiO2薄膜为纯金红石结构,研究TiO2薄膜的SEM照片和UV-vis透射光谱发现,不同的热处理温度会影响TiO2薄膜中锐矿和金红石两种结构的比例,从而导致TiO2薄膜的微观形貌,折射率,禁带宽度等性质的变化。 相似文献
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采用金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,在S_1,Au,Pt和Ti基片上沉积制备Bi_4Ti_3O_(12)(BTO)铁电薄膜,对不同基片沉积的BTO薄膜,以及不同退火温度下的薄膜的相结构、成分及形貌进行了分析。结果表明,BTO薄膜的结构与退火温度和沉积基片有关,不同基片上钙钛矿结构形成的温度按T_t相似文献
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用变温X射线及热分析等方法研究Bi_4Ti_3O_12铁电薄膜的相变,结果表明,在温度为350~445℃之间,薄膜经历由烧绿石相向钙钛矿相的结构相变,在670℃附近,薄膜由铁电相向顺电相转变;该相变是由于晶格畸变量b/a随温度上升连续减小,使得薄膜晶体对称性发生改变引起,在相变点附近未观察到潜热的产生。 相似文献
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采用复合靶共溅射技术,在单晶 Si基片和石英玻璃基片以及钠硅酸盐玻璃基片上分别制备得到了 Au Li Nb O3 和 Au Na Nb O3 纳米复合颗粒膜.利用 X 射线衍射谱和电子能谱对复合膜的结构和物相进行了分析.观测到 Au Li Nb O3 纳米复合频粒膜在593 nm 波段存在强等离子体共振吸收 相似文献
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报道了金属与金属氧化物复合靶的射频溅射法,制备Bi4Ti3O(12)(BTO)铁电陶瓷薄膜的方法,研究BTO薄膜的晶体结构,表面形貌以及断面.实验表明采用复合靶能够制备质量好、成分均匀的BTO薄膜,其结晶取向与基片材料有关,且退火工艺对膜的质量有影响. 相似文献
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用射频溅射(RF Sputtering)法制成了SiO_2和SiO_2/Al/SiO_2薄膜。应用喇曼光谱研究了薄膜结构。结果表明:RF溅射制成的SiO_2薄膜是含有大量环结构缺陷的玻璃态;SiO_2/Al/SiO_2层状薄膜的喇曼光谱中观察到Al_2O_3的特征峰,证实了Al/SiO_2薄膜界面确有氧化还原反应发生;从喇曼光谱中Al_2O_3的特性峰的位置和相对强度可推断出,SiO_2/Al/SiO_2薄膜界面处的Al_2O_3是非晶γ-Al_2O_3。 相似文献