金边瑞香茎尖脱毒及快繁技术

报道了金边瑞香顶芽在MS 0.05 mg/L 6-BA 0.1 mg/L NAA培养基中预培养20 d,再在34 ℃(11 h) 23 ℃(13 h)的昼夜温度交替下处理30 d后,剥离0.2～0.3 mm大小的茎尖在MS 0.1 mg/L6-BA 0.1 mg/LNAA培养基中的诱导成活率为80.0%,并获得脱毒苗.继代和增殖培养基为MS 0.5～1.0 mg/L6-BA 0.1 mg/LNAA,增殖系数4.1.试管苗在适宜培养条件下平均生根率为82.6%,在珍珠岩:泥炭=2:1基质中生根苗移栽成活率达到96.46%.     

紫外-可见分光光度法研究十八胺对钙、镁络合滴定的影响

研究了浮选剂十八胺(ODA)对Ca2+, Mg2+离子络合滴定的影响,主要进行了两组对比实验：(1) 滴定前将十八胺固体不过滤,直接进行滴定分析。结果表明这种情况下,十八胺对Ca2+和Mg2+离子的络合滴定都有较大影响,Mg2+离子的滴定终点难以判断,Ca2+离子的滴定终点虽然可以判断,但与不含十八胺的相应空白溶液相比有明显的分析误差。对相关溶液的紫外-可见分光光度分析进一步确认了该实验结果。(2) 滴定前将十八胺不溶物过滤掉,然后进行滴定分析。结果表明这种情况下,十八胺对Ca2+和Mg2+离子络合滴定的影响可以被基本消除。光谱扫描和时间扫描结果显示,滴定前将十八胺过滤后,对于Ca2+和Mg2+两种离子,溶液最大吸收的位置及溶液吸光度的变化情况都与无十八胺的空白溶液接近。     

制约硅晶片减薄因素研究分析

随着硅晶片薄型化发展,减少硅晶片厚度已成为降低芯片制造成本的重要措施.但在硅晶片制造加工过程中,许多因素制约了其减薄.针对硅晶片减薄问题,总结分析了制约硅晶片减薄因素,重点阐述了硅晶片厚度与硅晶片的断裂强度、刚度、翘曲度、固有频率的关系,分析了减小硅晶片厚度对硅晶片加工、检测和运输的影响,并对硅晶片厚度标准化问题进行了讨论,最后得到了制约硅晶片减薄的关键因素.