丙烯环氧化制环氧丙烷Fe-Al-P-O催化剂的研究

用溶胶-凝胶法制得了Fe-Al-P-O催化剂，采用IR、XRD、TEM、BET、TPR和微反等技术研究了催化剂的物化性质和反应性能。实验结果表明，Fe1/2-Al1/2-PO4由10 nm左右 FePO4和AlPO4微晶组合而成，其晶格氧的活泼性大于单纯FePO4，AlPO4在Fe1/2-Al1/2-PO4中起到分散FePO4微晶的作用；Fe1/2-Al1/2-PO4的反应性能与原料气组成密切相关，丙烯与O2的选择氧化产物主要是丙烯醛，原料气中加入H2后，反应产物以环氧丙烷为主，同时还有部分丙烯醛，原料气中引入水蒸气后，可进一步增加环氧丙烷的选择性及减少丙烯醛的产率；在0.1 MPa、200 ℃、C3H6/O2/H2/H2O/N2=1∶1∶1∶1∶6（mol比）和空速1 200 h－1条件下，丙烯的转化率为8.9％，环氧丙烷的选择性为81.0％。     

InGaN/GaN多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300K升高到360K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,即载流子泄漏比例增大。同时,光电流的增大在激发密度较低的时候更为明显,而且光电流随温度的增加幅度与激发光子的能量有关。用量子阱-量子点复合模型能很好地解释所观察到的实验现象。实验结果直接证明,随着温度的升高,InGaN/GaN量子阱中的载流子泄漏将显著增加,而且在低激发密度下这一效应更为明显。温度升高导致的载流子泄漏增多是InGaN多量子阱LED发光效率随温度升高而降低的重要原因。     

On a Spanning K-tree Containing Specified Vertices in a Graph

Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - A k-tree is a tree with maximum degree at most k. In this paper, we give a sharp degree sum condition for a graph to have a spanning k-tree in...     

Kinetics and Mechanism of Catalytic Reduction of U(VI) with Hydrazine on Platinum Catalysts in Nitric Acid Media

The kinetics of U(IV) produced by hydrazine reduction of U(VI) with platinum as a catalyst in nitric acid media was studied to reveal the reaction mechanism and optimize the reaction process. Electron spin resonance (ESR) was used to determine the influence of nitric acid oxidation. The effects of nitric acid, hydrazine, U(VI) concentration, catalyst dosage and temperature on the reaction rate were also studied. In addition, the simulation of the reaction process was performed using density functional theory. The results show that the influence of oxidation on the main reaction is limited when the concentration of nitric acid is below 0.5 mol/L. The reaction kinetics equation below the concentration of 0.5 mol/L is found as: -dc(UO₂²⁺)/dt)=kc^0.5323(UO₂²⁺)c^0.2074(N₂H₅⁺)c^-0.2009(H⁺). When the temperature is 50 ℃, and the solid/liquid ratio r is 0.0667 g/mL, the reaction kinetics constant is k=0.00199 (mol/L)^0.4712/min. Between 20 ℃ and 80 ℃, the reaction rate gradually increases with the increase of temperature, and changes from chemically controlled to diffusion-controlled. The simulations of density functional theory give further insight into the influence of various factors on the reaction process, with which the reaction mechanisms are determined according to the reaction kinetics and the simulation results.     

聚茜素红功能化碳纳米管修饰电极对多巴胺和抗坏血酸的电化学研究

采用电聚合方法将茜素红非共价修饰到碳纳米管上,制备了聚茜素红/碳纳米管修饰电极.以多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)为模型化合物,研究该修饰电极的电催化作用.结果表明:电聚合法使茜素红牢固地修饰到碳纳米管上,能显著提高电极的灵敏度和分子识别性能.DA和AA的氧化峰位分离达240 mV.在AA的存在下,DA的差分脉冲伏安法峰电流在1×10-7～1×10-5 mol/L范围内呈良好的线性关系,检测下限达1×10-7 mol/L.     

纳米材料在蛋白磷酸化分析中的应用研究

蛋白质磷酸化修饰是一种重要的蛋白质翻译后修饰,在细胞代谢过程中发挥着重要作用。当蛋白质的正常磷酸化调节发生异常时,会导致癌症、糖尿病、心脏病等各种疾病的发生。因此,蛋白磷酸化分析对于疾病的早期快速诊断、药物筛选和治疗等方面具有重大的意义。由于蛋白质磷酸化过程是动态的,并且磷酸化肽段或蛋白在生物样品中的含量较低,因此高灵敏的蛋白磷酸化分析面临着巨大的挑战。该文依据在检测过程中,选择性识别或捕获磷酸化的肽段或蛋白的主要机理,综述了近几年纳米材料对磷酸化肽段的富集和信号放大作用在蛋白磷酸化分析中的研究进展,并对其未来研究方向进行了展望。     

50Hz铌酸锂电光调Q开关

目前军用领域电光调Q开关的工作频率基本在30 Hz以下,为满足军用领域对更高重复频率脉冲激光的需求,研究并获得了可工作在50 Hz重复频率下的铌酸锂电光调Q开关.基于折射率椭球理论,通过分析铌酸锂晶体预偏置电光调Q的原理,选取了合适的预偏置角度.在闪光灯泵浦Ce∶ Nd∶ YAG激光系统中,通过合理设计谐振腔参数以及激光晶体的参数,采用预偏置加压式电光调Q方式,实现了频率为50 Hz,脉宽约为6 ns,能量不小于93mJ的1.06 μm激光输出,峰值功率达到了约15 MW.试验证明铌酸锂晶体用作电光调Q开关在中小功率和中低频率1.06μm激光上有很好的应用前景.     

核磁共振磁体超导接头工艺研究进展

高度稳定的磁场对于核磁共振（NMR）波谱仪至关重要.为了保持磁场的稳定性,高质量的超导接头必不可少.它在过去几十年中,受到NMR超导磁体研究人员的广泛关注.本文从五个部分介绍了超导接头技术的研究进展：第一部分简要介绍了NMR超导磁体和超导接头的发展;第二部分概述了低温超导体材料之间超导接头的研究进展;第三部分介绍了高温超导体材料之间的接头;第四部分讨论了有关超导接头电阻的测量技术;最后,提出了对超导接头技术研究的展望.     

荧光酮取代基对碳纳米管协同增效作用的影响研究

以金属离子(Pb2+、Mn2+)与荧光酮(苯基荧光酮、水杨基荧光酮、邻氯苯基荧光酮)的显色体系为模型,在阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTMAB)的存在下,研究了显色剂荧光酮不同的取代基对碳纳米管协同增效作用的影响。结果表明,碳纳米管作为一种新型增效剂,与荧光酮产生π-π作用,使荧光酮类显色体系的灵敏度得到提高。3种荧光酮的增敏强度为ΔA苯基荧光酮ΔA水杨基荧光酮ΔA邻氯苯基荧光酮。该文从空间位阻、氢键以及取代基的电子效应等方面进行了机理的探讨。水杨基荧光酮和邻氯苯基荧光酮由于邻位取代基的存在,增加了荧光酮分子与碳纳米管之间π-π作用的空间位阻,导致显色体系的增敏强度较小;与带有—Cl吸电子基团的邻氯苯基荧光酮相比,水杨基荧光酮上的供电子基团—OH可与碳纳米管上的含氧基团形成氢键,由于氢键的作用以及电子效应的不同导致了增敏效应的差异。对体系的实验条件进行优化,得出最佳测锰体系的线性范围为0.04~0.56 mg/L,回归方程为A=0.016+1.541C(mg/L),表观摩尔吸光系数ε=9.45×104L/(mol.cm),r=0.997。利用该体系对自来水中的锰进行了测定,结果令人满意。     

Musielak-Orlicz空间的w*光滑点

Musielak-Orlicz空间是经典Orlicz空间的一种推广，ω^*光滑是Orlicz空间的一种重要几何性质，本讨论了Musielak-Orlicz空间中ω^*光滑点的充分必要条件。