激光相位成像雷达的研究

利用无合作目标漫反射激光相位测距的原理,对关键单元技术进行分析和设计,研制成一种用于自主式车辆视觉导引的激光相位成像雷达的原理样机.     

自组装双硫醇分子膜阻抗谱的研究

对交流电场下双巯基烷烃硫醇自组装分子膜的阻抗谱进行了研究.利用汞金属作为衬底,制备出双巯基烷烃硫醇自组装分子膜,并通过交流频谱仪对其进行频谱的扫描．明确了膜的作用范围为阻抗谱中频部分为了解释该阻抗谱,提出了一种串联的等效电路来进行了拟合,并与其他的模型进行比较.同时,观察到在损耗谱中损耗峰随硫醇碳链原子数的增加而向低频方向移动并得出双巯基硫醇(C6-C10)在交流电场下的激活能为23～39 meV．     

两样本队列半数生存期检验:反射和检基统计量

依据反射或检基原理，本文提出用于截尾资料的两样本队列半数生存期（ＣＨＬ）检验．两样本合并ＣＨＬ经指数内插取自Ｋａｐｌａｎ－Ｍｅｉｅｒ或Ｂｅｒｋｓｏｎ－Ｇａｇｅ估计值．连续性校正，经以有效样本容量取代样本容量，扩展自Ｙａｔｅｓ校正．合并标准误来自同源性生存率方差估计值，后者经有效样本容量扩展自二项分布方差．无截尾时，这些统计量还原为经典中位数检验．与反射统计量相比，检基统计量具有更高的功效．附有工作实例描述其临床应用．     

应力对La0.83Sr0.17MnO3薄膜输运性能的影响

采用溶胶-凝胶方法在Si(111)上制备了LSMO(x=0.17)薄膜.研究了块体材料和不同厚度薄膜R -T曲线、红外光谱和X射线衍射.结果表明，LSMO薄膜属于正交晶体结构，薄膜取向与膜厚度 有关，当膜厚度为450nm或680nm时，主要取向〈200〉，而膜厚度为900nm时取向为〈020〉 ：根据离子对相互作用能和谐振子模型，得到了红外吸收与Mn—O—Mn键长和键角关系式，6 00cm^-1附近红外吸收与晶格常数b的变化有关；块体与薄膜的金属—绝缘体转变 温度(T_MI)存在较大差别，薄膜转变温度显著低于块体，并与厚度有一定关系. 认为是LSMO薄膜中的应力诱导了晶格常数变化，引起键角改变及JT效应是转变温度变化的主 要原因. 关键词： 单晶硅 晶格常数 金属—绝缘体转变温度 应力诱导     

六元N-杂环配体TIAMPP的合成及其在不对称催化加氢中的应用

在三乙胺的作用下，利用（S）-3-羟甲基-1，2，3，4-四氢异喹啉（（S）-TicOL）和Ph2PCl缩合，得到六元N-杂环配体（S）-TIAMPP．研究了（S）-TIAMPP与Rh（I）形成的手性催化剂[Rh（（S）-TIAMPP）（COD）]BF。在脱氢氨基酸的衍生物中不对称催化加氢的对映选择性和适应性，以及该催化剂对N-苯甲酰基脱氢肉桂酸甲酯加氢过程中温度、压力、反应溶剂、底物与催化剂比例（S／C）对光学收率的影响．结果表明，在S／C=100，15℃，1．0MPa的甲醇溶液中，反应24h，[Rh（（S）-TIAMPP）（COD）]BF。对N-苯甲酰基脱氢肉桂酸甲酯加氢的光学收率可达到96％．     

丙烯酸系—β羟烷酯的薄层分离与分光光度测定

丙烯酸羟乙酯,甲基丙烯酸羟乙酯,丙烯酸羟丙酯和甲基丙烯酸羟丙酯是丙烯酸系—β羟烷酯中最重要的四种化合物。它们广泛用于涂料、水凝胶、透明薄膜、弹性材料和生物化     

KClO_4/Zr在石英管内的燃烧发射光谱与燃烧产物分析

为了研究燃烧条件对KClO_4/Zr烟火剂燃烧过程中光辐射性能的影响,考察了KClO_4/Zr在开放环境和不同规格封闭石英管内的燃烧发射光谱和燃烧产物。借助光纤光谱仪、光电二极管和示波器测试了烟火剂燃烧过程中的光辐射能量分布和闪光时间-强度曲线,分析了所得发射光谱在(590±10),(750±10)和(808±10)nm三个主吸收波段内的光谱效率,借助SEM表征了不同燃烧条件下KClO_4/Zr燃烧产物的形貌。结果表明:在开放条件下燃烧时,KClO_4/Zr的燃烧发射光谱在可见光到近红外的宽波段内,最强辐射出现在730~820nm波段。在石英管内封闭燃烧时,随着石英管体积的减少,在石英管外检测到的燃烧发射光谱强度逐渐减弱,光谱能量分布也呈现不同的变化规律,而且对火焰发射光谱分布进行处理后,随着石英管体积的变化,得到(590±10),(750±10)和(808±10)nm波段的光谱效率也呈现不同的变化规律。但是,随着石英管体积的减少,KClO_4/Zr烟火剂的爆燃闪光辐射时间逐渐缩短,峰值辐射强度逐渐提高。增加石英管的直径,有利于在管外获得更高的有效光辐射能量,减少石英管的直径,则有利于提高烟火剂的峰值辐射强度。随着管直径的增大,KClO_4燃烧更加充分,产物粒径较小,呈规则的球状。而管长度的改变对反应并无太大影响。     

Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing

Introducing voids into AlN layer at a certain height using a simple method is meaningful but challenging. In this work, the AlN/sapphire template with AlN interlayer structure was designed and grown by metal-organic chemical vapor deposition. Then, the AlN template was annealed at 1700 ℃ for an hour to introduce the voids. It was found that voids were formed in the AlN layer after high-temperature annealing and they were mainly distributed around the AlN interlayer. Meanwhile, the dislocation density of the AlN template decreased from 5.26×10⁹ cm^-2 to 5.10×10⁸ cm^-2. This work provides a possible method to introduce voids into AlN layer at a designated height, which will benefit the design of AlN-based devices.     

多模式拉制微纳光纤

搭建了基于火焰加热法的微纳光纤拉制装置,通过软件控制,实现了3种模式下的微纳光纤拉制.基于传统的单边拉制和双边拉制,引入了Flame brush拉制方式,增加了火焰加热区域.根据测量结果优化了拉制模式中的参量,成功拉制出传输损耗、束腰直径及束腰长度均良好的微纳光纤.