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1.
We report new Raman features of epitaxial graphene (EG) on Si-face 4H-SiC prepared by pulsed electron irradiation (PEI). With increasing graphene layers, frequencies of G and 2D peaks show blue-shifts and approach those of bulk highly-oriented pyrolytic graphite. It is indicated that the EG is slightly tension strained and tends to be strain-free. Meanwhile, single Lorentzian line shapes are well fitted to the 2D peaks of EG on SiC(O001) and their full widths at half maximum decrease with the increasing graphene layers, which indicates that the multilayer EG on Si-face can also contain turbostratic stacking by our PEI route instead of only AB Bernal stacking by a traditional thermal annealing method. It is worth noting that the stacking style plays an important role on the charge carrier mobility. Therefore our findings will be a candidate for growing quality graphene with high carrier mobility both on the Si- and C-terminated SiC substrate. Mechanisms behind the features are studied and discussed. 相似文献
2.
Size-dependence of optical properties and energy relaxation in CdSe/ZnS quantum dots (QDs) were investigated by two-colour femtosecond (fs) pump-probe (400/800 nm) and picosecond time-resolved photoluminescence (ps TRPL) experiments. Pump-probe measurement results show that there are two components for the excited carriers relaxation, the fast one with a time constant of several ps arises from the Auger-type recombination, which shows almost particle sizeindependence. The slow relaxation component with a time constant of several decades of ns can be clearly determined with ps TRPL spectroscopy in which the slow relaxation process shows strong particle size-dependence. The decay time constants increase from 21 to 34 ns with the decrease of particle size from 3.2 to 2.1 nm. The room-temperature decay lifetime is due to the thermal mixing of bright and dark excitons, and the size-dependence of slow relaxation process can be explained very well in terms of simple three-level model. 相似文献
3.
环戊叉基环戊酮的烷基化反应研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了环戊叉基环戊酮与不同类型烷化剂的反应规律;讨论了不同催化剂对烷基化反应的催化性能,发现NaNH2和NaH具有较好的催化作用;讨论了烷基化产物的结构,证实了烷基化反应发生在羰基的α双键碳原子上。 相似文献
4.
5.
利用旋涂法制备了分散橙3(DO3)/PMMA主客体掺杂薄膜,对其吸收谱、厚度和折射率进行了测量,并采用全光极化的方法对薄膜的二阶非线性光学特性进行了研究。实验结果表明,随着厚度的增加其二阶非线性先增强后减弱,d33最大值约为0.827×10-2pm/V。对极化饱和后的驰豫情况进行了分析,发现不同厚度薄膜的驰豫时间不同,这是由于薄膜中偶氮含量和厚度的不同,分子间的相互作用对顺反异构逆过程的快慢有较大的影响。 相似文献
6.
采用物理喷束淀积技术,制备了聚乙烯咔唑(PVK)与富勒烯C60的组合薄膜系列,通过测量这些组合膜和纯膜的稳态和瞬态光生电压,研究了组合膜光诱导电荷转移性质.发现P VK/C60双层组合膜的光生电压比纯PVK薄膜和PVK与C60均匀混合膜有5个数量级的增强,比纯C60薄膜也有大于一个数量级的增强.实验结果证明:在光激发下,组合膜中两种分子间发生了快速的电子转移,并在PVK/C60界面处产生有效的电荷分离,导致PVK/C60双层组合膜光生电压的显著增强.并通过与ITO/C60/Al结构的瞬态光生电压响应的比较,表明了高聚物与C60之间发生了更快的分子间的电荷转移过程. 相似文献
8.
9.
为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能,我们调整了器件结构,使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率,在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层;然后,在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层,形成HAT-CN/NPB结构的PN结,有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明,在最佳掺杂比例(2%)下,器件的外量子效率(EQE)达到4.92%,接近荧光OLED的EQE理论极限值;加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层,使得器件的EQE达到5.37%;HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V),将OLED器件的EQE提高到5.76%;HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率,降低了单空穴器件的阻抗... 相似文献
10.
采用紫外可见吸收、稳态荧光光谱和荧光衰减测量技术,观察了4-硝基-4'-氨基偶氮苯(NAA)在氯仿溶液中的光致变色现象及分子的跃迁能级和能级寿命。结果表明:NAA分子的顺反异构化反应并非一级反应;分子处于反式异构体和顺式异构体的跃迁能分别为255.6,240.2 kJ/mol;分子处于反式异构体的能级寿命为0.02 ns,处于顺式异构体的能级寿命为3.54 ns。顺反异构体的含量、NAA分子之间及NAA分子与溶剂分子之间的相互作用影响NAA分子激发态的能级寿命。 相似文献