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本文提出的全方位鲁棒调节性能指标,采用了原经典控制指标的几何形象术语,保持了以往指标的长处,且适用于多输入多输出系统。该指标不是“跟踪”性指标,它考虑了来自状态空间各种方位的可能干扰,能体现系统的整体调节特性。文中分析了新旧指标的特点,给出了新指标的计算方法,并进一步指出:此组全方位指标可转化为一种标量的便于设计时对参数进行优化计算的泛函指标,按此泛函优化,可使闭环系统的鲁棒性能和整体调节性能同时得到改善,且可使闭环系统的特征向量系接近正规化。目前,无论是状态反馈还是输出反馈,都已有按此指标泛函进行优化设计的一些切实可行的方法了,但极少谈及调节性能。 相似文献
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光纤陀螺捷联系统最优多位置对准 总被引:1,自引:0,他引:1
利用把线性时变系统作为分段定常系统来进行可观测性研究的方法,将初始对准的最优多位置法应用于光纤陀螺捷联系统,分析了多位置对准的可观测性,通过仿真说明将多位置法应用于光纤陀螺捷联系统是有效的。 相似文献
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在二元翼型风洞实验段中的侧壁边界层将引起模型展向流动的不均匀性,使预想的二元流动受到三元扭曲,引起实验数据的误差,目前消除或减少侧壁干扰的有效方法之一是采用侧壁抽吸技术。本文就抽吸的有效性,抽吸区域和阻尼材料等问题进行了讨论和分析,并对抽吸技术中的问题提出了一些看法。 相似文献
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在En=4.5—18.3 MeV 能区,用活化法测量了27Al(n,α)24Na,46Ti(n,p)46Sc1),48Ti(n,p)48Sc1),51V(n,α)48Sc 和127I(n,2n)126I 的激发曲线.在 En=14.61±0.20 MeV 处,以伴随粒子法作中子通量测量,得到了27Al(n,α)24Na 反应截面.其他反应以此截面为标准进行绝对测量.产物核放射性用经标定过效率的 NaI(Tl)闪烁谱仪测量.结果分别为117.5±3.0 mb,291.4±14.0 mb,63.7±3.2 mb,16.8±0.9 mb 和1656±68mb.最后对测量结果进行了简单的比较. 相似文献
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经验系数法在赤泥X射线荧光光谱分析中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
在国外,X射线荧光光谱法在铝工业中的应用已有20年的历史。不少作者先后报导过铝土矿,赤泥的X射线荧光光谱分析法。在我国铝工业中则刚开始应用这种方法。氧化铝生产流程中的废渣俗称赤泥,其主要成分是铝、钠、硅、铁、钙和钛的氧化物。掌握赤泥成分的变化是氧化铝生产及工艺研究的重要一环。为此我们研究了赤泥的X射线荧光光谱分析方法,探讨了Plesch选择判据在确定基体校正元素中的应用。实验证明方法可靠,准确度和精密度跟化学法相当,具有分析速度快的优点。 相似文献
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Influences of increasing gate stem height on DC and RF performances of InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs
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The T-gate stem height of In Al As/In Ga As In P-based high electron mobility transistor(HEMT) is increased from165 nm to 250 nm. The influences of increasing the gate stem height on the direct current(DC) and radio frequency(RF)performances of device are investigated. A 120-nm-long gate, 250-nm-high gate stem device exhibits a higher threshold voltage(Vth) of 60 m V than a 120-nm-long gate devices with a short gate stem, caused by more Pt distributions on the gate foot edges of the high Ti/Pt/Au gate. The Pt distribution in Schottky contact metal is found to increase with the gate stem height or the gate length increasing, and thus enhancing the Schottky barrier height and expanding the gate length,which can be due to the increased internal tensile stress of Pt. The more Pt distributions for the high gate stem device also lead to more obvious Pt sinking, which reduces the distance between the gate and the In Ga As channel so that the transconductance(gm) of the high gate stem device is 70 m S/mm larger than that of the short stem device. As for the RF performances,the gate extrinsic parasitic capacitance decreases and the intrinsic transconductance increases after the gate stem height has been increased, so the RF performances of device are obviously improved. The high gate stem device yields a maximum ft of 270 GHz and fmax of 460 GHz, while the short gate stem device has a maximum ft of 240 GHz and the fmax of 370 GHz. 相似文献
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基于关键器件的光纤陀螺可靠性评估 总被引:1,自引:0,他引:1
以可靠性评估技术为基础,采用关键器件法对光纤陀螺工作状态下可靠性指标进行评估。通过对光纤陀螺实施故障模式、影响及危害性分析以及故障树分析,确定光纤陀螺的关键器件为超辐射发光二极管(SLD)光源,结合SLD光源性能退化数据对SLD光源进行可靠性评估,得到SLD光源的可靠度曲线。由关键器件转换法原理可知,曲线即为光纤陀螺工作状态下可靠度曲线。通过与整机法的评估结果进行对比,得出基于关键器件的光纤陀螺可靠性评估是可信的,为光纤陀螺可靠性评估提供了一种切实可行的方法。 相似文献
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