CeO2-La2O3／γ-A12O3催化还原SO2反应机理的研究

采用浸渍法制备了负载型CeO2／γ-A12O3，La2O3／γ-A12O3和CeO2-La2O3／γ-A12O3催化剂，并用XRD和XPS对催化剂进行了表征，在n(SO2)／n(CO)=1／3，载流气体为N2，气体流量为1L／min，催化剂用量为15g的条件下，考察了催化剂催化CO还原SO2反应的性能，研究了催化剂的活化过程、催化活性和反应物配比对活性的影响．结果表明，CeO2-La2O3／γ-A12O3在催化还原SO2反应中的活化温度比单组分催化剂CeO2/γ-A12O3，或La2O3/γ-A12O3，下降了50～100℃，而且具有更高的活性。这可以解释为由CeO2的redox反应与La2O3的COS中间物反应之间的协同作用所致。还对SO2还原反应机理进行了探讨，发现CeO2的redox反应所生成的单质硫是整个过程中COS中间物反应的重要来源。在此基础上，对CeO2-La2O3/γ-A12O3催化CO还原SO2反应提出了redox-COS叠加反应机理。     

氢氧化铝/环氧树脂复合材料的电荷衰减特性

环氧树脂电气绝缘性能优良, 但是其在脉冲功率设备中充当绝缘子时, 表面容易带电且不易衰减, 当表面电荷集聚到一定的程度会造成局部放电甚至发展为沿面闪络。为了提高环氧树脂的沿面闪络性能, 用中心粒径为1 m的氢氧化铝(ATH)无机填料来改善环氧树脂复合材料的表面性能。分别制备了ATH填料质量分数为0%(纯环氧) , 20%, 40%, 60%, 80%和100%的ATH/环氧树脂复合材料试样。用电声脉冲法研究了ATH填料对环氧树脂复合材料电荷衰减性能的影响, 对比了试样直流极化场强为10 kV/mm和30 kV/mm的试验结果。结果表明：ATH/环氧树脂复合材料电荷的衰减常数不仅与填料的质量分数有关, 而且与试样的带电量有关。     

闪光机回流离子效应及抑制方法

采用束包络方程分析了单脉冲和多脉冲情况下回流离子对强流相对论电子束聚焦的影响。分析结果表明,单脉冲情况下通过缩短焦距,仍可以获得较小的积分焦斑,而在多脉冲情况下回流离子将导致电子束完全散焦。通过数值模拟和实验研究了利用薄膜阻挡回流离子的可行性,对不同薄膜在电子束作用下的温升及动力学行为的模拟结果表明,在1.06 μs的时间尺度内,薄膜虽然发生了不同程度的膨胀,但是仍然有足够的材料可以阻挡离子回流。在神龙一号加速器上,通过法拉第筒测量了靶前放置和不放置薄膜情况下的离子信号,实验证实了薄膜至少能够将离子约束在薄膜和转换靶之间长达数十μs。     

Ag/TCNQ薄膜中的传质行为研究

采用真空蒸发的方法在玻璃基板上交替蒸发Ag和TCNQ(四氰基对醌二甲烷), 形成不同厚度的双层膜, 经Ag的固体化学扩散与TCNQ反应, 形成金属有机络合物. 利用透射光谱作为表征, 研究了Ag的传质规律, 给出了60~110 ℃温度下的恒温传质系数k和对应的激活能, 并对传质机制进行了探讨.     

纳米铜薄膜氧化反应动力学规律研究

研究了140 ℃下纳米尺度Cu薄膜的氧化行为. 采用真空蒸发法以不同沉积速率制备一系列Cu薄膜, 利用原子力显微镜(AFM)观察其微观形貌, 选取形貌良好的Cu薄膜样品. 采用方块电阻和透射光谱两种方法为表征手段, 测量16～22 nm范围内不同厚度Cu薄膜在140 ℃下完全氧化所需要的时间, 得到了Cu薄膜氧化反应的动力学曲线, 并利用X射线衍射(XRD)分析了氧化产物的晶相结构和成分. 结果表明, 纳米尺度下Cu薄膜在140 ℃下氧化反应的动力学表征结果满足特殊的反对数生长规律, 反应产物为Cu₂O.     

植物激素吲哚乙酸电化学生物传感器的研究

本文提出了以绿豆芽叶片组织-二茂铁修饰的碳糊电板(LFMCE)作为植物激素吲哚乙酸传感器的研制，探讨了影响电极性能的因素，初步研究了吲哚乙酸氧化酶处于最优活性的基本条件。实验表明，此电极在NaH2PO4-Na2HPO4(pH5．8)缓冲溶液中对植物生长素有良好的电催化作用，氧化峰电位约在0.42V左右。用循环伏安法测得的氧化峰电流变化值与吲哚乙酸浓度在8-l60μg／mL范围内呈良好的线性关系，检测下限为4．2μg／mL，相关系数为0．9984，在样品回收率的测定中取得满意结果。     

基于泰勒级数及温度因子的卡尔曼滤波模型在链子崖危岩体变形预测中的应用

考虑到链子崖危岩体的变形受温度的影响较为明显,为此,将链子崖危岩体的变形看作时间和温度的函数,利用泰勒级数建立链子崖危岩体的变形与时间和温度的函数关系,并将泰勒级数的余项及时间变化的二次方和温度变化的二次方的系数的变化量看作数学期望为0的动态噪声,建立卡尔曼滤波模型,并用于链子崖危岩体变形的预测预报.实例计算表明,模型的拟合效果和预测效果较好.     

神龙一号电子束质心运动测量研究

 在强流直线感应加速器中,电子束质心位置的控制是一项重要技术,要达到较好的控制效果,前提是对电子束质心位置进行准确的测量和定位。针对具有时间分辨的电子束质心位置的测量和确定,介绍了测量实验系统的建立和数据处理两个方面的研究工作。该处理方法在实际应用时能够将电子束质心位置的误差控制在1～2个像素内。用高速分幅相机以10 ns的时间间隔、3 ns的曝光时间获得了神龙一号加速器在漂移段出口处的电子束质心运动情况。结果表明：束的质心主要在半径为0.5 mm的区域内运动,束斑直径dFWHM值分别为8.4,8.8,8.5,9.3和7.6 mm,测量结果可以为束的调控提供准确参数。     

高能X射线源焦斑尺寸的时间分辨诊断

将门控分幅相机与快闪烁晶体结合,构成时间分辨X射线诊断系统,对神龙一号直线感应加速器产生的高能脉冲X射线源焦斑进行了测量,在时间间隔为10 ns的情况下,获得了焦斑尺寸随时间的变化曲线。在此基础上,设计了单像素尺寸为0.78 mm×0.78 mm的LYSO闪烁晶体阵列,并进行了X射线照射晶体阵列发光的初步实验,结果表明该阵列可用于高能X射线源焦斑的时间分辨诊断,并能显著提高成像的空间分辨力。     

“神龙一号”注入器研制

“神龙一号”注入器是直线感应加速器的束流源，它采用了感应叠加的高压加载方式，包括脉冲功率系统、感应腔、阴阳极杆、绝缘支撑、二极管和束流传输系统等子系统. 在研制中采用了径向绝缘支撑、对中支撑调节系统、类Pierce阴极等先进技术，以及二极管线圈内置和外径为800mm的铁氧体大环等创新. 参数测试显示，3.5MeV注入器达到了世界先进水平.