基于Add-drop型微环谐振腔的硅基高速电光调制器设计

相比于传统的All-pass型微环谐振腔硅基电光调制器, Add-drop型微环谐振腔可提供更多的设计自由度, 使调制器在不改变杂质掺杂浓度的情况下就能在调制带宽和消光比性能上获得均衡考虑. 本文设计了基于Add-drop型微环谐振腔的高速、且在低调制电压下实现大消光比的硅基电光调制器, 所用微环谐振腔的半径仅仅为20 μm. 重点分析了直波导与微环谐振腔的耦合对调制器性能的影响, 发现较小的Drop端耦合系数有利于消光比的提高, 但是不能同时达到最佳的调制带宽, 因此设计上存在一个带宽和消光比性能上的折中考虑. 根据优化设计的结果进行了实际器件的制作和测试. 静态光谱测试表明, 在3 V反向偏置电压的作用下, 调制器的消光比最大可达12 dB. 动态电光响应测试中, 在仅仅1.2 V的信号幅值电压下测得了8 Gbps数据传输速率的清晰眼图. 关键词： 电光调制器 绝缘体上的硅 微环谐振腔 载流子色散效应     

光波导微环谐振器用于二进制格式变换研究

实验观测到了微环对入射二进制码的格式转换作用, 且这种转换作用对入射光波长具有强烈的依赖关系. 使用线性耦合模理论, 结合傅里叶变换以及电光马赫曾德强度调制作用, 理论再现了这一实验结果, 并通过使用简化的传递函数对此进行了解释. 理论分析还表明, 对于非临界耦合微环, 通过格式转换后波形的非对称性可以直观地判断微环的耦合状态, 即过耦合或欠耦合有不同的输出波形特点. 关键词： 微环谐振器 数据格式转换 耦合模方程 传递函数     

基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法

提出一种基于深度优先搜索的全芯片光源掩模优化关键图形筛选方法。所提方法采用掩模频谱的投影边界以及增长因子表征掩模的衍射频谱特征。设计了基于深度优先搜索的关键图形筛选算法,实现了全芯片光源掩模优化关键图形筛选,获得了所有关键图形组。相比于现有同类方法,所提方法可以获得覆盖频率分组的所有关键图形组,进而选出更优关键图形组。采用荷兰ASML公司的商用计算光刻软件Tachyon Tflex对所提方法进行了仿真验证,仿真结果表明所提方法获得的工艺窗口优于Tachyon Tflex方法,与现有方法相比,所提方法筛选出的关键图形结果更优。     

基于自适应无迹粒子滤波的SINS大方位失准角初始对准

针对捷联惯导系统大方位失准的情况进行分析,提出了采用了自适应UPF滤波进行初始对准的方法。该滤波器基于强跟踪滤波器的思想,通过引入衰减记忆因子有效增强当前信息残差对系统的修正作用,在一定程度上降低了由于系统简化、噪声统计特性不确定对系统造成的影响,同时较好地克服了UPF中粒子退化的现象。当系统噪声统计特性确定时,自适应UPF水平对准时间比UPF对准时间大约少200 s,方位对准时间大约少150 s,对准结束后,自适应UPF对准的纵摇、横摇以及航向误差均值分别为?0.018?、0.0074?、?0.8609?,UPF对准对应的值分别为0.0209?、0.0189?、1.0983?。当系统噪声统计特性不确定时,自适应UPF水平对准时间比UPF对准时间大约少400 s,方位对准时间大约少450 s,对准结束后,自适应UPF对准的纵摇、横摇以及航向误差均值分别为0.0105?、0.0122?、?0.7304?,UPF对准对应的值分别为0.0454?、0.0278?、2.8174?。仿真结果表明:在系统噪声统计特性确定或不确定的情况下,自适应UPF能在一定程度上提高大方位失准捷联惯导系统的初始对准速度和对准精度。     

基于衍射谱分析的全芯片光源掩模联合优化关键图形筛选

提出了一种全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选方法,用图形的主要频率表征图形的特征,用主要频率的位置和轮廓信息描述主要频率在频域上的分布特征。设计了相应的主要频率提取方法、覆盖规则、聚类方法以及关键图形筛选方法,实现了全芯片光源掩模联合优化的关键图形筛选。采用荷兰ASML公司的商用计算光刻软件Tachyon进行了仿真验证,与ASML公司同类技术的对比结果表明,本方法获得的工艺窗口优于ASML Tachyon方法。