推广x重新标度模型的重标度参数经验公式

给出了推广x重新标度模型的重标度参数经验公式,其中建立了重标度参数与原子核的平均结合能之间的联系,由该公式可以得出A≥12的所有核的重标度参数值,利用这些参数值可以计算有关核过程并做出预言.     

迈克尔逊干涉仪中补偿板与干涉条纹

通过分析缺失补偿板的迈克尔逊干涉仪中的附加光程差,推出干涉条纹满足的方程式,并用计算机模拟了动镜移动过程中变化的干涉条纹,与实验结果相一致.     

自由模的自同态环之间的同构

本文主要结果如下:(1)证明了两个自由模及是半线性同构当且仅当End_F与End_G是严格的环同构(见定义1)。(2)用不同方法证明并推广了1985年Bolla用范畴方法来描述End_F与End_G之间的环同构。(3)1962年Wolfson定理是我们的推论。     

高能h-A碰撞

本文在QCD修正的Drell-Yan机制和矢量介子中间态贡献下,利用NMC组的1-A深度非弹在0.00352<90MeV²/c²测量的结构函数比值R_A(x,Q²),通过重标度模型解释了WA-78组对(π^－,P)+A→μμ+X过程在2m_μ≤m_μμ≤1.5GeV和0.1≤x_F≤0.6内的测量结果.将它们与在不同的m_1l和x_F区间测量的CIP组结果对比,解释了为什么靶核在前者中显示遮蔽效应面在后者中则显示出反遮蔽效应.指出通过重标度模型和其合理假定后,它们都与R_A(x,Q²)直接相关,从而进一步揭示了1-A深度非弹中核效应与h-A ll产生过程中核效应之间的本质联系.     

用BBO晶体产生196～228nm波长的紫外辐射

本文报道了用BBO晶体通过混频产生196～228nm可调谐紫外辐射的研究结果.产生200nm及222nm的量子转换效率分别为12%及23%,与理论计算值基本相符.     

格值型Hahn-Dieudonné-Tong插入定理与层次结构

本文将关于半连续函数的Hahn-Dieudoné-Tong插入定理推广到值域为格L的惰形。我们是对格值半连续映射全体形成的拓扑进行考察,将这个问题归结为诱导空间的某种分离性问题来解决的。作为附产品,对相当广大一类格L,证明了诱导空间为正规当且仅当底空间是正规的。反例说明了对乙的限制的必要性。这些结果与反例说明诱导空间的正规性以及格值插入定理成立与值域乙的特征有密切关系。古典的插入定理的证明是分析式的且富有技巧性。与之相比,这里使用的称之为层次结构的新方法则相当朴素而自然。这方法基于对层次之间的拓扑关系有深入的认识。希望这种归纳地给出层次然后定出映射的方法还会得到进一步的应用。     

理想微裂纹系统中的随机扩展效应

本文讨论了在理想微裂纹系统中,由于微裂纹的随机性扩展,对微裂纹统计演化产生的效应。文中提供了一般的理论框架,给出了便于处理的转移概率的表达式。最后,用数值计算的例子展示了随机模型的统计演化特征,并比较了与确定性扩展模型下统计演化的异同。     

Yetter-Drinfel'd范畴中辫化余交换余代数

本文研究与Ｈｏｐｆ代数Ｈ关联之ＹｅｔｅｒＤｒｉｎｆｅｌ’ｄ范畴ＹＨＤ中的辫化余交换余代数Ｃ，证明ＨＹＤ中左Ｃ－余模范畴ＨＹＤ是张量范畴，且ＨＹＤ中辫结构Ψ诱导ＣＨＹＤ中一辫结构当且仅当对ＣＨＤＹ中任意对象Ｎ有ΨＮ，ＣΨＣ，ＮＣΓＮ＝ＣＹＤΓＮ；由此导致新的辫化张量范畴．     

Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells

A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias.