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1.
文[1]对2004年高考江苏卷第20题的探索是很有意义的,令人耳目一新,笔者通过挖掘隐含在问题内部的研究性材料进行推广,既能让学生真正掌握所涉及的内容,又利于其探究能力的培养.在此本着“数列中对一切正整数恒成立问题的解法及文[1]推广4的解答错误”的想法,给出该类问题的另一 相似文献
2.
矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解及其加权最佳逼近 总被引:1,自引:0,他引:1
本中,我们讨论了矩阵方程AXB=D的最小二乘Hermite解,通过运用广义奇异值分解(GSVD),获得了解的通式。此外,对于给定矩阵F,也得到了它的加权最佳逼近表达式。 相似文献
3.
4.
光电效应是物理光学中揭示光的本性的重要内容.根据中专物理教学的特点和我校光导纤维通信专业对物理知识的需求,既不可能在理论上讲得过多、过深、过于严密,也不能仅在黑板上画实验,照课本念规律.必须明确:学生在物理课程中学到的物理科学知识,受到的观察、实验、思维、科学态度和科学方法的训练以及受到的思想教育,将是他们继续学习科学技术和投身祖国社会主义现代化建设的重要基础.下面谈谈我在"光电效应"一书教学中的一些体会和做法.五以实验为基础,获取感性认识首先安排导向性演示实验步骤:门)在无紫外线灯照射下闭合电键… 相似文献
5.
Exact Solution of an Extended Hubbard Model with Electron—Lattice Interaction for an Organic Ferromagnetic Polymer
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Using an exact diagonalization method,we study an extended Hubbard model with an electron-lattice interaction for an organic ferromagnetic chain with radical coupling.The result shows that the ferromagnetic ground state originates from the antiferromagnetic correlation between adjoining sites,which is enhanced by the on-site e-e repulsion.The intersite e-e repulsion induces the inhomogeneous distribution of the charge density.The dimerization is decreased by the e-e interaction and the radical coupling.The electron-lattice interaction and the radical coupling can transfer the spin density and charge density between the main chain and the radicals. 相似文献
6.
ZDF-50型摄影机用几万到十几万幅/秒的摄影频率,在野外大视区,由光源在远距离照射时拍摄高速运动目标及其瞬逝过程的布站情况及主要测试参数的计算。 有效视场=目标速度v_0×拍摄时间t。 摄影频率应满足: 有效拍摄视场大于瞬逝过程及事件前后所需要的视场。 相似文献
7.
对Josephson隧道结,如果氧化层的厚度为20(?)左右,电荷能与Joscphscm耦合能相比可略去不计。随着氧化层厚度的增大,电荷能变得可与耦合能相比,不能略去不计。本文讨论电荷能和热涨落对隧道结性能的影响,给出两者同时发生作用从而破坏隧道结两侧位相相干性的临界条件。我们既从能量角度,又从位相差的均方偏差的角度出发,给出两个等价的位相相干性被破坏的临界条件。 相似文献
8.
物理实验课程体系之我见 总被引:1,自引:0,他引:1
自国家教委确定物理实验独立设课以来,探索和建立其课程体系已成为该课程建设的一个重要课题。传统的“菜谱式”的教材,适合于将物理实验作为物理理论课的辅助教学手段时期,实践证明在配合理论教学中它的确起过一定的作用。但是当它现在已成为高等院校的一门独立必修基础课程时,我们感到再沿袭那种“菜谱式”的教学方案,会显得陈旧而落伍。因为物理实验的独立设课意 相似文献
9.
10.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
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GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献