辐射成像系统中图像转换屏与物镜耦合的分析

辐射成像系统中,射线沿闪烁体厚度方向产生的光经过镜头形成一个弥散的像。这通常是此类系统空间分辨的主要限制因素。建立了几何光学成像模型,描述了近心光路中此图像的空变特性。用点扩散函数均方根半径表征系统空间分辨性能,给出了图像点扩散函数均方根半径的表达式,其与闪烁体厚度、折射率、镜头相对孔径、成像倍率、射线入射点相对位置直接相关。将硅酸镥晶体3维发光强度分布与镜头进行耦合,分析了闪烁体发光强度分布对耦合的影响。采用点扩散函数均方根半径为最小的原则,建立了一个推导闪烁体相对于物镜放置在最佳位置的方法。     

ns激光辐照硅光电探测器的损伤阈值

以He-Ne激光作为参考光,采用反射光能量法,测量了ns激光辐照硅光电探测器的损伤阈值,并测量了不同功率密度的强激光辐照下探测器对参考光的反射率.实验结果表明,ns激光辐照硅光电探测器的损伤阈值为4.1×106W/cm2,在探测器被强激光损伤的初期阶段,探测器对参考光的反射率下降很快,继续增加入射激光的能量,探测器对参考光的反射率下降趋于平缓.     

面向连续体拓扑优化的多样性设计求解方法

拓扑优化可以在概念设计阶段为工业产品结构的概念设计提供新颖的设计思路. 传统的连续体结构拓扑优化方法通常只能获得一个优化的拓扑构型,但在实际工程应用中,这个构型在后续设计阶段可能会由于分析模型逐步细化、设计要求的进一步明确而无法满足改变后的设计目标和约束. 针对此问题,提出了多样性设计求解方法(multiple designs approach,MDA),使得能够在优化过程中获得若干个多样性设计,以此减少在可能在设计初期由于信息不完整所带来的风险. 给出MDA 基本的优化列式,将目标函数定义为多个设计构型的目标性能加权之和,并通过加入对多样性度量的约束条件,在优化过程中驱动各个设计产生几何构型上差异. 给出了一种具体的多样性度量方法,并对其物理意义和特征进行描述和讨论. 以基于变密度法的最小柔顺性问题作为优化算例,给出了具体的优化列式及敏度推导. 在算例中,研究了目标函数和约束中不同参数对结果的影响,并对目标函数之外的其他潜在结构性能进行了讨论和比较. 结果表明,通过MDA 能够有效地给出一批多样性设计构型,为后续的精细化设计提供多种设计方案和思路.      

厚针孔射线成像品质因数的研究

定义了一种评价针孔成像性能的品质因数,给出了数学表达式.此品质因数综合反映了针孔成像的总空间分辨和灵敏度因素.基于透射模型,给出了针孔成像中心点等效直径、 点扩散函数均方根半径数学表达式.给出了全视场和有效视场下针孔成像品质因数的计算方法,分析了直孔型、刀口型、船底型和长船底型等4种典型针孔的成像特性.     

电化学方法去除模拟血液中铅的研究

以牛血清白蛋白(BSA),Tris-HCl缓冲溶液和硝酸铅Pb(NO3)2配成的含铅模拟血液作为研究对象,采用电化学的方法去除模拟血液中的大分子BSA-铅配合物。实验先采用透析技术去除模拟血液中游离的铅离子和小分子的铅配合物对实验的干扰,然后通过电化学的方法使大分子BSA-铅配合物解离,解离后铅离子在电场作用下在阴极处被还原去除。在直流电场(6V.cm-1)处理8小时后,模拟血液中大分子铅配合物的去除率为45%,证明电化学法能使大分子BSA-铅配合物解离,从而去除模拟血液中的铅。     

CCD相机对14MeV和2.5MeV中子瞬态响应特性

从理论上分析了中子在CCD相机拍摄图像中引起的瞬态干扰噪声的机理,并针对两种不同类型的CCD相机,在能量为14MeV和2.5MeV的低强度稳态中子源上开展了实验研究,分析了噪声特征与入射中子能量、入射角度、注量及CCD相机结构的关系。实验结果表明中子瞬态干扰噪声主要表现为脉冲噪声,且出现斑点现象,与理论分析结果相吻合。研究得出了噪声特征随入射中子注量变化的规律,比较了不同能量及不同入射角条件下的噪声特性,并分析了两种不同结构的CCD相机响应特性的差别。     

短程硝化-厌氧氨氧化工艺的挑战与对策

短程硝化-厌氧氨氧化（PN/A）工艺与传统生物脱氮工艺相比，具有能耗低、设备简单、污泥产率低等诸多优点，在污水脱氮领域备受关注。本文首先总结了PN/A工艺在实际应用中存在的一些挑战，比如，处理高C/N废水效果不佳、亚硝酸盐氧化细菌（NOB）抑制困难、启动缓慢等。然后，针对上述挑战，提出了一些PN/A工艺的改进措施。可使用多种预处理技术来降低废水有机物含量，以减弱高C/N比废水的负面影响；根据NOB、厌氧氨氧化菌（AnAOB）、氨氧化细菌（AOB）之间生长条件的差异，通过调控温度、pH、溶解氧等环境条件或添加抑制剂来抑制NOB的生长。接着，总结了PN/A工艺快速启动的方法，即通过添加化学物质、物理场、外加AnAOB种泥，并给予AnAOB最佳生长条件等方法，实现PN/A工艺的快速启动。最后，展望了PN/A工艺未来有待深入研究的方向。