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为便于实时交通信息数据采集,设计并实现了一种基于SIM908模块和KL25微控制器的浮动车定位器,将GPS信息通过GPRS网络实时传输至服务器端;利用SIM908已有的射频连接器和内部集成的电源管理电路,减小了定位器的尺寸;利用SIM908和KL25的低功耗特性,增强了定位器的续航能力;微控制器的软件设计基于FreeRTOS实时操作系统,解析SIM908输出的基于NMEA协议的GPS报文,并使用AT指令控制SIM908与远程服务器基于TCP协议进行数据传输;实际测试结果表明,该定位器具有较高的稳定性和定位精度,并兼具便携性和长时间续航能力。 相似文献
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基于孔径分布概念的全景系统光学设计 总被引:3,自引:1,他引:2
为了改变坦克现有探测与观瞄系统低效、精确性不足等弱点,进行基于孔径分布概念的全景系统光学设计。原理是利用4个孔径大于90°的物镜对360°全景图像信息进行孔径分布实时采集,采集的四路图像通过内部转像系统的折转汇成一路,由一个CCD接收,提供准确和平整的全景图拼贴的图像,对系统理想情况下的发现和分清目标距离以及盲区范围进行估算,并通过光线追迹估算出系统失效探测距离。系统在57 m~6.45 km的工作距离内,实现全方位、实时性的观瞄与探测功能。 相似文献
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埃尔米特梁单元常用的集中质量矩阵,是由挠度自由度对应的一致质量矩阵元素通过行求和或节点积分构造。然而,数值结果表明该集中质量矩阵在求解包含自由端的梁振动问题时,会出现频率精度掉阶现象。本文首先从保障质量矩阵最优收敛性的数值积分精度出发,分别针对三次和五次梁单元,发展了质量矩阵的梯度增强节点积分方案。利用梯度增强节点积分方案,可以得到具有分块对角形式的单元质量矩阵,而其组装的整体质量矩阵除边界节点外仍然呈现对角形式。对于两种单元,其分块对角质量矩阵分别具有4阶最优精度和6阶次优精度。再者,将标准一致质量矩阵和具有同阶精度的梯度增强节点积分质量矩阵进行优化组合,建立了具有超收敛特性的高阶质量矩阵。最后,通过数值算例系统验证了三次和五次单元的分块对角与高阶质量矩阵的频率计算精度。 相似文献
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Dong-Qing Li 《中国物理 B》2022,31(5):56106-056106
Three-dimensional (3D) TCAD simulations demonstrate that reducing the distance between the well boundary and N-channel metal-oxide semiconductor (NMOS) transistor or P-channel metal-oxide semiconductor (PMOS) transistor can mitigate the cross section of single event upset (SEU) in 14-nm complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) bulk FinFET technology. The competition of charge collection between well boundary and sensitive nodes, the enhanced restoring currents and the change of bipolar effect are responsible for the decrease of SEU cross section. Unlike dual-interlock cell (DICE) design, this approach is more effective under heavy ion irradiation of higher LET, in the presence of enough taps to ensure the rapid recovery of well potential. Besides, the feasibility of this method and its effectiveness with feature size scaling down are discussed. 相似文献
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提出了一种基于微观晶粒尺寸分布的Cu互连电迁移失效寿命模型. 结合透射电子显微镜和统计失效分析技术, 研究了Cu互连电迁移失效尺寸缩小和临界长度效应及其物理机制. 研究表明, 当互连线宽度减小, 其平均晶粒尺寸下降并导致互连电迁移寿命降低. 小于临界长度的互连线无法提供足够的空位使得铜晶粒耗尽而发生失效. 当互连长度大于该临界长度时, 在整个电迁移测试时间内, 部分体积较小的阴极端铜晶粒出现耗尽情况. 随着互连长度的增加该失效比例迅速增大, 电迁移失效寿命减小. 当互连长度远大于扩散长度时, 失效时间主要取决于铜晶粒的尺寸, 且失效寿命和比例随晶粒尺寸变化呈现饱和的波动状态.
关键词:
Cu 互连
电迁移
微观结构 相似文献
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本文在详细占有统计数据的基础上,对玻壳厂的库存问题进行了研究,并用统计实验方法作了动态模拟,得到了可供选择的较优解。本文的方法和度序原则上也适用于其它生产企业和商业机构甚至后勤部门。 相似文献
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基于铜互连电迁移失效微观机理分析建立一种Cu/SiCN互连电迁移失效阻变模型,并提出一种由互连阻变曲线特征参数即跳变台阶高度与斜率来获取失效物理参数的提取方法.研究结果表明,铜互连电迁移失效时间由一定电应力条件下互连阴极末端晶粒耗尽时间决定.铜互连电迁移失效一般分为沟槽型和狭缝型两种失效模式.沟槽型空洞失效模式对应的阻变曲线一般包括跳变台阶区和线性区两个特征区域.晶粒尺寸分布与临界空洞长度均符合正态对数分布且分布参数基本一致.阻变曲线线性区斜率与温度呈指数函数关系.利用阻变模型提取获得的电迁移扩散激活能约为0.9eV,与Black方法基本一致. 相似文献
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建立了表面波驱动等离子体天线装置,提出了一种等离子体天线表面电流指数分布模型,并利用该表面电流分布模型计算了天线的辐射方向图.研究结果表明,等离子体密度随轴向距离的增大呈指数衰减趋势.正常工作状态下表面波波矢虚部随等离子体密度的增大而下降,遵循与等离子体密度类似的指数衰减规律,但其实部则基本保持不变.等离子体天线的表面电流呈振幅指数衰减行波模式.利用该表面电流分布模型计算得到的辐射方向图呈现典型的8字形分布,与实验测量结果良好符合.当射频功率减小,等离子体天线辐射方向图宽化. 相似文献