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晶体学
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1996年
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1
1.
溶液循环流动法生长大尺寸KDP晶体
总被引:4,自引:3,他引:4
鲁智宽
高樟寿
《人工晶体学报》
1996,25(1):19-22
本文研究了溶液循环流动法生长大截面KDP晶体的工艺条件。发现影响晶体生长的关键因素是溶液的充分过热,流动系体的流量和生长槽的温场。测定了不同条件下生长槽的温场,确定了最佳晶体生长区域。用循环流动法能提高溶液的过饱和度,加快晶体生长速度。
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