对触媒熔剂法金刚石生长的再认识(Ⅰ)——金刚石晶体生长的准稳定区

本文根据溶液晶体生长理论与实践,认定在金刚石结晶V形区域内存在着晶体生长准稳定区.熔剂-碳二元共熔体系处于准稳定的过饱和溶液中,准稳定的过饱和度是金刚石晶体生长的驱动力.提出了设计合理的加热组装结构、建立金刚石生长适宜压力场、温度场的必要条件,以保证在准稳定的过压度驱动下生长出晶形完整的优质金刚石.     

烧结多晶钻石的压力、温度与压力场、温度场

本文根据钻石自体烧结、生成碳化物烧结、扫越催化再结晶方式与石墨一次生长多晶钻石四种不同方法的烧结机制,论述了相应的压力场、温场及压力温度工艺条件.