退火工艺对可控硅辐照效应的影响

应用1.4 MeV电子束对单向可控硅晶圆芯片进行固定注量率辐照,通过触发电流和少子寿命表征辐照效应,研究了退火工艺对辐照效应的影响。结果表明：电子辐照缩短单向可控硅少子寿命,增大触发电流。经350℃退火后触发电流恢复到辐照前水平,少子寿命虽有一定恢复,但远比辐照前短。在试验的注量范围内k系数为常数,退火后k系数与注量相关,小注量时较小。常温存放对辐照效应有较大影响,长时间存放不利于200℃退火而有利于300℃退火。     

供体-受体氮杂环丙烷碳-碳键断裂的环加成反应研究进展

氮杂环丙烷有两种不同的开环方式:一种是碳-氮键断裂开环,另一种是碳-碳键断裂开环.其中,氮杂环丙烷以碳-氮键断裂的反应已经有很多综述报道.主要概述了近二十年来供体-受体(Donor-Acceptor,D-A)氮杂环丙烷以碳-碳键断裂的环加成反应研究进展.在合适催化剂作用下,D-A氮杂环丙烷经碳-碳键断裂开环形成亚胺叶立德,该叶立德可以和醛、亚胺、烯烃、炔烃和吲哚等发生[3+n]环加成反应.     

丙烯酸环氧酯合成的动力学研究

本工作研究了以丙烯酸和环氧树脂为原料合成丙烯酸环氧醋的动力学,认为该反应是一级反应,在此基础上提出了反应机理.同时研究了不饱和酸离解常数及溶剂对反应速率常数的影响,进一步支持了上述观点,并且求出了在不同温度丫的反应速率常数及反应的活化能