排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
3.
在传统的HFCVD系统中,引入射频电源后,通过与灯丝或者衬底的连接,组成了射频放电辅助下的四种不同沉积金刚石的生长模式.在各种生长模式下,分别以酒精和丙酮为碳源,沉积出了金刚石多晶球,并就不同辅助模式下的金刚石的生长速率进行了研究.结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系. 相似文献
4.
5.
6.
热丝CVD金刚石薄膜Auger电子能谱分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用Auger电子能谱仪,对热丝CVD法生长出的金刚石膜样品进行了表面探测。结果表明热丝系统中钨、钼、石英等材料对金刚石膜的污染影响很小,以至探测不到;生长系统和生长工艺对金刚石膜的质量有较大影响。 相似文献
7.
本文对不同内部接触体系的全固态氟电极进行了实验比较,通过在氟化镧晶体表面电解形成氟化铋及氟化铅的实验,直接观察到氟离子在氟化镧单晶膜中的迁移现象。认为BiF3-Bi-Ag体系较适宜用作全固态氟电极的内部接触。并测试了制得的全固态氟离子电极的电位响应特性。 相似文献
8.
1