γ-Bi2Sn2O7的水热合成及其可见光区光电响应研究

本文采用水热法制备了γ-Bi2Sn2O7并研究了其在可见光区的光电响应.Bi2Sn2O7的晶体结构和光电响应特性分别用X射线衍射和表面光电压谱进行表征.研究结果表明,合成的Bi2Sn2O7呈现γ相立方结构,通过吸收光谱估算光学带隙为2.67eV,比α-Bi2O3(2.85eV)的光学带隙小.Bi2Sn2O7的光电响应相对于α-Bi2O3在可见光区展现出一定的优势,同时对外加电压有很强的响应.