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采用微波吸收法,测量了在不同助熔剂条件及不同气氛下烧制的ZnS材料受到超短激光脉冲激发后的光电子衰减过程,并且测量了材料的热释光曲线。样品A采用过量的SrCl作为助熔剂,在1150℃下灼烧制备而成;其热释光曲线显示材料中有浅电子陷阱,电子陷阱密度小,光生电子衰减过程为双指数衰减过程,快过程寿命为45ns,慢过程寿命为312ns。样品B中加入了少量的NaCl作为助熔剂;热释光曲线显示有浅电子陷阱和深电子陷阱,且都有较高的密度,其光电子寿命为1615ns。在NH4Br气氛中烧制样品C,热释光谱显示只有浅电子陷阱形成,光电子寿命为1413ns。结果表明材料的光电子寿命和浅电子陷阱密切相关,浅电子陷阱密度越大,光生电子寿命越长,深电子陷阱对光生电子瞬态过程影响很小。 相似文献
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采用微波吸收法,测量了ZnO及ZnO:Zn荧光粉末材料受到超短激光脉冲激发后其导带电子的衰减过程,并测量了室温下荧光材料的吸收光谱和发射光谱。发现ZnO材料的光电子寿命为64ns,而ZnO:Zn荧光材料的的光电子寿命为401ns。分析认为ZnO:Zn寿命的延长是由于材料中缺陷结构的增加导致电子在导带上的弛豫时间变长。 相似文献
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本文采用水热法,在430℃,填充度为35;,3mol/L KOH作为矿化剂,反应时间为24h,合成了Zn1-xCoxO晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的CoCl2·6H2O为前驱物时,水热反应产物中,可以获得多晶体形态的掺杂Zn1-xCoxO晶体.电子探针测量表明,随着前驱物中CoCl2·6H2O添加量的增加,晶体中的Co实际掺入量也随着增加.采用超导量子干涉磁强仪测量材料的磁性,发现在室温以下,水热法合成的Zn1-xCoxO晶体的磁化强度随温度变化很小,在300K存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,表明具有室温下铁磁性. 相似文献
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水热法合成Zn1-xNixO稀磁半导体 总被引:9,自引:6,他引:3
本文采用水热法,在温度430℃,填充度35%,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量N iC l2.6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xN ixO稀磁半导体晶体。当在Zn(OH)2中添加一定量的N iC l2.6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂N i的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的N i离子掺入ZnO,最大N i原子分数含量为0.62%。采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降。在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性。 相似文献
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A novel coordination polymer [Eu2(C6H8O4)3(H2O)2]n·n(4,4’-bpy) (Mr = 928.51) was synthesized by the hydrothermal reaction of EuCl3·6H2O, adipic acid and 4,4’-bpy, and determined by elemental analysis, IR spectroscopy, thermal gravimetric analysis, single-crystal diffraction and fluorescence property. X-ray analysis reveals that a three-dimensional network has been formed between Eu3+ by carboxyl of adipic acid. The crystal is of orthorhombic, space group Pbcn with a = 21.870(7), b = 7.652(2), c = 19.624(6) (A), V = 3284.1(17)(A)3, Z = 4, Dc = 1.878 g/cm3, μ = 3.854 mm-1, F(000) = 1824, R = 0.0345 and wR = 0.0565. The coordination polymer exhibits intensive red light under UV excitation at room temperature, which is attributed to the 5D0→7F2 transition of Eu(Ⅲ) ions. 相似文献