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具有手性晶体结构的MnSb2O6其基态为螺旋磁序,对外磁场有着响应丰富的铁电性.本文通过助熔剂法制备了高质量MnSb2O6单晶.电子自旋共振谱(ESR)的结果表明其共振场具有类似铁磁材料的各向异性温度依赖关系.这一结果表明MnSb2O6基态的螺旋磁序在外磁场中形成了随磁场方向转动的圆锥磁序相(conical phase).对共振峰半高宽的进一步拟合得到一个意外小的临界指数,这表明MnSb2O6中的磁矩具有二维特征并且存在着较强的竞争相互作用. 相似文献
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在不同的温度下热处理用sol-gel法制的PS/Si(111)叠层凝胶膜制备出了SiC薄膜.用XRD、SEM、XPS、FTIR等分析方法研究了SiC薄膜的结构、组成和表面形貌等.根据FTIR光谱计算了不同温度下得到的SiC薄膜的厚度,并研究了PS/Si(111)热解法生长SiC薄膜的生长动力学.结果表明,随着生长温度的增加,SiC薄膜生长速率变化趋势为:1200~1250 oC生长速率增加缓慢是2D生长机制,1250~1270 oC生长速率快速增加是3D生长机制,1270~1300 oC生长速率为负增长是由于SiC薄膜生长与Si和C原子的挥发共同作用所致.由速率变化求得各段表观生长激活能分别是122.5、522.5、-127.5 J/mol. 相似文献
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采用改进的PS/OCS/Si(111)叠层热解法,在石英高温管式炉中,常压流通Ar气氛下,于1300 o C制备出了无层错空洞缺陷的晶态SiC薄膜.采用红外、X射线衍射和扫描电镜等分析方法对薄膜样品进行了表征.并研究了这种方法制备SiC薄膜的化学热力学过程.通过对反应平衡常数和吉布斯自由能的计算,初步确定了生成SiC的主反应的发生顺序以及反应体系的平衡状态,并论证了流通的Ar气氛对于反应的持续进行是必须的.该方法制备的薄膜为SiO2/SiC/Si(111)结构,这种结构对于半导体MOS器件的应用是非常有利的.该SiO2层形成反应后期降温阶段,并且可以通过RCA清洗工艺(标准半导体清洗工艺)彻底清除.目前还没有发现用这种方法生长SiC薄膜的报道. 相似文献
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