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Ho掺杂的BiFeO_3多铁陶瓷的制备及性能 总被引：1，自引：0，他引：1
用固相反应和快速退火冷却法制备了纯的BiFeO_3(BFO)陶瓷和15%Ho掺杂的Bi_(0.85)Ho_(0.15)FeO_3(BHFO)陶瓷,研究了室温下陶瓷的品格结构及其铁电、介电、漏电和磁性能.结果表明,Ho掺杂有助于减少BiFeO_3陶瓷中的杂相,改善其铁电、介电、漏电和磁性能.与BFO陶瓷相比,BHFO陶瓷具有典型的电滞回线;当电场强度为1 50 kV/cm时,其2Pr(剩余极化值)为15 μC/cm~2.同时,BHFO具有比BFO显著增大的介电常数和明显降低的介电损耗.磁性能测试表明,BHFO陶瓷表现出弱的铁磁性. 相似文献
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利用脉冲激光沉积法在0.7; Nb∶ SrTiO3衬底上制备了Co∶ ZnO薄膜,并构建了Pt/Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结器件.该器件表现出典型的双极性阻变效应,在正、负向电压作用下,器件电阻可以在低阻态和高阻态之间变换,电阻变换比值可达到104,阻态具有一定的保持性与耐久性,同时Co∶ ZnO薄膜的饱和磁化强度会产生与阻变相关联的可逆调控.结合ZnO薄膜阻变与磁性调控结果发现,氧空位在Co∶ ZnO/Nb∶ SrTiO3异质结的阻变及磁性调控中具有重要作用,并采用氧空位产生与湮灭结合载流子注入-束缚/解束缚模型解释阻变与磁性调控. 相似文献
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