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目的观察孕期和哺乳期适度缺铁性贫血诱导子代豚鼠耳蜗毛细胞凋亡。方法 12只受孕豚鼠随机分为两组(对照组和适度缺铁性贫血组)。子代豚鼠于出生后9 d断乳,行畸变产物耳声发射(distortion product otoacoustic emission,简称DPOAE)检测听力;分离耳蜗,行全基底膜铺片,用原位末端转移酶标记技术(terminal deoxynucleotidyl transferase-mediated dUTP-biotin nickend-labelling,简称TUNEL)染色和免疫组化检测毛细胞凋亡情况。结果孕期和哺乳期铁适度缺铁性贫血致子代豚鼠听力损伤,耳蜗毛细胞凋亡发生,caspase-3/9免疫阳性表达。结论孕期和哺乳期铁缺乏适度缺铁性贫血可诱导子代豚鼠耳蜗毛细胞凋亡发生。 相似文献
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单细胞成像可在单细胞水平观测目标物位置、 确定目标物含量, 在生命科学与临床医学研究领域应用广泛. 核酸编码扩增技术利用特定分子反应将待测目标识别转化为核酸条码的扩增, 具有探针种类多、 易编程、 反应条件温和及信号放大效率高等特点, 在单细胞低丰度、 高灵敏、 多目标物成像中优势显著, 为理解细胞状态、 探索生命过程提供了新思路. 本文综合评述了核酸编码扩增在单细胞荧光成像领域的研究进展, 以目标物的编码方式为分类依据, 系统阐述了固定细胞原位成像和活细胞成像中不同目标物编码与扩增成像方式的区别, 并对活细胞成像中多重检测面临的问题以及未来发展前景进行了展望. 相似文献
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在常压下, 研究了添加气的种类(N2, He, Ar, H2, NH3, CO和CO2)对介质阻挡放电低碳烷烃(甲烷、 乙烷和丙烷)转化制低碳烯烃的影响. 结果表明, 以甲烷或乙烷为原料时, N2, He, Ar和CO的引入有利于提高原料的转化率和总烯烃的选择性; 而CO2, H2和NH3的引入对甲烷、 乙烷的转化率无明显影响, 但H2和NH3的引入会使总烯烃的选择性显著降低. 以丙烷为原料时, 所研究的添加气均可提高丙烷的转化率, 而只有CO的引入可提高总烯烃选择性. 综上所述, 80%(摩尔分数) CO添加量最有利于低碳烷烃转化成低碳烯烃, 对应的甲烷、 乙烷和丙烷的转化率分别提高了14.4%, 17.6%和42.8%, 总烯烃的选择性分别提高了19.9%, 25.0%和11.9%. 以CH4为例, 通过对放电电流波形和等离子体区物种的发射光谱(OES)研究发现, 引入CO能显著增加等离子体的电子密度, 并且体系中出现激发态O*物种(777.5和844.7 nm), 这种O*物种能够促进C-H键的断裂, 有利于烯烃的生成. 因此, 等离子体区电子密度的增加和激发态O*物种的出现可能是CH4-CO体系中CH4有效转化的主要原因. 相似文献
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在溶剂热条件下,由1,3,5-三(1-咪唑基)苯(tib)和3,4'',5-联苯三羧酸(H3BPT)或1,3,5-三(4-羧基苯基)苯(H3BTB)与镉的硝酸盐或锌的硝酸盐反应,得到2个新的金属有机框架化合物[Cd3(tib)2(BPT)2(H2O)2]·DMA·6H2O(1)和[Zn2(tib)(HBTB)2(H2O)]·2H2O(2),并对其结构和吸附及荧光性能进行了研究。结构分析结果表明配合物1是一个具有4节点的三维框架化合物,其简化后的拓扑符号为{83}4{85·12}{86}2;而2是一个具有二维网格结构的化合物,该二维网格结构可进一步通过氢键作用形成三维超分子化合物。气体和蒸汽吸附性能研究结果表明1和2都可以选择性吸附CO2和MeOH,荧光性能研究结果表明,1可以通过荧光猝灭机理在甲醇、乙醇、2-异丙醇、乙腈、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、四氢呋喃、三氯甲烷、二氯甲烷和丙酮的混合溶剂中选择性识别丙酮分子。 相似文献
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以3-羧基-1-(4-羧基苄基)吡啶溴酸盐((H2L) Br)分别与Co (Ⅱ)和Cd (Ⅱ)金属盐反应,制备了2个配合物[Co (L)2(H2O)4]·2H2O (1)和[Cd (L)2(H2O)]·3H2O (2)。晶体结构分析揭示配合物1是一个中性的单核配合物,其拥有丰富的并可作为超分子合成子的氢键和π-π作用力组分。对于1,单核的[Co (L)2(H2O)4]实体首先通过氢键形成具有孔道结构的二维层,该二维层进一步通过π-π堆积作用形成三维的多孔配位超分子。配合物2具有一维的“之”字形链状结构,该链通过悬挂的L配体之间的π-π作用力形成一维梯形结构。该一维梯形链进一步通过梯形边之间存在的2种π-π堆积作用形成波浪状的二维层。二维层进一步通过8种类型的O—H…O氢键连接形成三维的超分子结构。根据拓扑的观点,配合物2中的一维链采取胶合板排列。此外,配合物2显示了强的紫外荧光发射,平均寿命为2.54 ns。 相似文献
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为解决光导开关耐受场强的提高问题,研制了2种体结构光导开关,并进行了实验研究。两种开关均由半绝缘GaAs材料制成,一种尺寸为10.0 mm×10.0 mm×0.6 mm,电极位于10.0 mm×10.0 mm面上相对位置,电极直径6 mm;另一种尺寸为15.0 mm×15.0 mm×3.0 mm,8 mm直径电极位于15.0 mm×15.0 mm面上相对位置。测试了第1种开关在不同半高宽脉冲加载电压下的击穿电压,结果表明其最大耐受电压达7.6 kV,击穿电场127 kV/cm。对第2种结构测试了开关在直流加载条件下的暗态伏安特性并进行了触发实验,结果表明在15 kV工作电压下,其放电最大电流超过3.5 kA。 相似文献
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关于系统(1)的极限环的存在性问题,[1,2]已有过论述,[1]指出,当系统(1)仅有一个初等奇点,F(x,y)=0表示椭圆,且原点位于其内部时,系统(1)存在极限环;[2]考虑系统(1)有一个以上初等奇点,F(x,y)=0表示椭圆时的情况,给出系统(1)存在极限环的充分条件.本文在[1,2]的基础上继续研究系统(1)的极限环的存在性问题,与[1,2]不同,本文不但考虑 F(x,y)=0表示椭圆时情况,而且还考虑了 F(x,y)=0表示其它二次曲线时的情况,不但考虑了系统(1)有初等奇点时情况,而且还考虑了系统(1)有高次奇点时情况,给出系统(1)极限环存在的充分条件. 相似文献