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针对星载可见光相机成像模拟在逼真度和灵活性方面的综合仿真应用需求,研究并提出了一种以三维场景为基础,以光线追踪技术为主要渲染核心,综合考虑卫星轨道和姿态、光照条件、物体光谱特性和周边环境、大气传输、遥感器成像性能等影响因素的全光路成像模拟技术的仿真模型.文中首先从完备性及可扩展性的角度尝试建立了成像仿真系统的综合模型框架,对整个成像链中的各个重要环节进行分层及模块化,并结合目前现有三维技术、光线追踪技术、传感器仿真技术的特点设计各模块之间的调用及接口关系,使其能在较好利用现有计算模型的同时能够对新的算法模型实现有效兼容.随后讨论了模型目前使用的镜头前辐亮度计算模块、光线路径计算模块和传感器效果仿真模块,并针对简单空间探测场景用C++编程语言实现了系统框架和关键模型,生成模拟图像,结果证明该模型在深空光照及大气效果方面有较好的表现,具备较高的仿真度和良好的适应性、扩展性,能够有效支撑卫星光学成像系统的指标论证、算法评估以及效能预估等应用. 相似文献
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光声成像技术是一种非常有前景的前列腺早期检测与成像的新技术. 在现有前列腺光声成像技术中, 通常采用的腺体外光源辐照方式由于受外围组织的影响, 容易减弱深部前列腺组织的光能量吸收, 导致辐照范围减小, 引起光声成像深度不足, 难以实现无损前列腺癌的检测. 本文基于前列腺组织的结构特征, 依据一种以柱状弥散光纤在尿道对前列腺实施光辐照、并利用外置于直肠内的长焦区聚焦式超声换能器检测光声信号的前列腺光声扫描成像技术, 构建了光声成像实验系统, 开展了仿体实验. 测试结果表明, 系统能够实现样品中吸收体的定位和成像, 结合柱弥散光源体内辐照可使成像深度提高, 同时侧向成像范围也较大. 初步结果表明, 借助柱弥散光源进行体内光辐照的光声信号新激发方式结合长焦区超声探头在前列腺癌早期无创诊断上具有潜在的应用前景. 相似文献
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性能优越的Si基高效发光材料与器件的制备一直是Si基光电集成电路中最具挑战性的课题之一.Si基Ge材料不仅与成熟的硅工艺相兼容,而且具有准直接带特性,被认为是实现Si基激光器最有希望的材料.对Si基Ge材料N型掺杂的研究有利于提示出其直接带发光增强机理.本文研究了N型掺杂Si基Ge材料导带电子的晶格散射过程.N型掺杂Si基Ge材料具有独特的双能谷(Γ能谷与L能谷)结构,它将通过以下两方面的竞争关系提高直接带导带底电子的占有率:一方面,处于Γ能谷的导带电子通过谷间光学声子的散射方式散射到L能谷;另一方面,处于L能谷的导带电子通过谷内光学声子散射以及二次谷间光学声子散射或者直接通过谷间光学声子散射的方式跃迁到Γ能谷.当掺杂浓度界于10~(17)cm~(-3)到10~(19)cm~(-3)时,适当提高N型掺杂浓度有利于提高直接带Γ能谷导带底电子占有率,进而提高Si基Ge材料直接带发光效率. 相似文献
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作为功能材料的一个新品种,高分子固体电解质有极其广泛的应用前景[1]。近年来人们致力于对体系的改性研究[2-5],以提高电解质的室温离子电导率和获得适合的力学性能。本研究用水溶液聚合工艺,以过硫酸盐为引发剂,以丙烯酸为主单体、丙烯酰胺为第二单体,加入适当的增塑剂... 相似文献
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多壁纳米碳管固相萃取测定水中的有机氯农药 总被引:7,自引:3,他引:7
对于水样中的有机氯农药的净化方法主要是采用传统的液液分配的方法,缺点是溶剂使用量和前处理复杂。近年来固相萃取及固相微萃取等技术被应用到水样中的有机污染物的测定。如利用键合在硅胶上的非极性(C18,LC18等)或极性物质(LC-CN,LC-NH2)对水中有机物进行富集,用GDX或XAD自填的固相柱的报道也很多。纳米技术和纳米材料的发展为开发固相萃取材料带来新契机。纳米材料是指尺寸大小在从1~100m之间物质。与普通的块体材料相比,纳米材料具有较大的比表面,因而有可能具有较大吸附容量。纳米材料在环境有机污染物分离富集方面的应用研究才刚刚开始。本文主要就纳米碳管对水样中的有机氯农药进行研究,优化固相萃取条件。 相似文献
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对人体甲状腺内的病变组织进行定位和成像对于准确诊断和有效治疗甲状腺疾病是至关重要的. 本文评估了利用光声层析技术对离体甲状腺组织进行成像的可行性, 并利用基于30 MHz超声换能器的聚焦光声成像系统对甲状腺进行扫描成像. 实验中成像系统的横向分辨率和纵向分辨率分别达到了350 μupm和74 μupm. 分别对正常离体甲状腺组织和模拟病变甲状腺组织进行光声成像. 实验结果表明, 本成像系统能够有效区分和鉴别正常甲状腺组织和病变组织. 此项技术有望进一步提高甲状腺疾病诊断的准确率, 以便更为有效地指导疾病的治疗, 具有潜在的临床应用前景. 相似文献
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The properties of n-Ge epilayer deposited on Si substrate with in-situ doping technology in a cold-wall ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD) system are investigated.The growth temperature of ~500℃ is optimal for the n-Ge growth in our equipment with a phosphorus concentration of ~10~(18)cm~(-3).In the n-Ge epilayer,the depth profile of phosphorus concentration is box-shaped and the tensile strain of 0.12% confirmed by x-ray diffraction measurement is introduced which results in the red shift of the photoluminescence.The enhancements of photoluminescence intensity with the increase of the doping concentration are observed,which is consistent with the modeling of the spontaneous emission spectrum for direct transition of Ge.The results are of significance for guiding the growth of n-Ge epilayer with in-situ doping technology. 相似文献
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