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晶体学
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2008年
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1
1.
运用数值模拟技术改进VGF法生长GaAs晶体
总被引：1，自引：1，他引：0
詹琳
苏小平
张峰翊
李金权
《人工晶体学报》
2008,37(5):1056-1059
在VGF法生长GaAs晶体的过程中固液界面凹向晶体,很容易在坩埚圆锥面处生长多晶.本文采用专业晶体生长模拟软件CrysVUn对实验温场进行了计算机模拟并提出改进方案,把底加热器取消并在坩埚底部加入氦气冷源,底部结构类似于热交换法系统.这样改变热场结构,得到凸向熔体的固液界面.
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