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晶体学
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1
1.
水热法KTP晶体生长与宏观缺陷研究
总被引:2,自引:0,他引:2
阮青锋
霍汉德
覃西杰
卢福华
周卫宁
张昌龙
邱志惠
雷威
张良钜
《人工晶体学报》
2006,35(3):608-611
本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体.提出了晶体生长工艺的改进措施,如提高原材料和试剂的纯度、调整籽晶的悬挂方式、减少籽晶的尺寸等,都可以减少晶体的宏观缺陷,提高晶体的质量.//(011)切向的籽晶生长的晶体质量较高,且能很好地应用于激光器件中.
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