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电荷转移能级和缺陷形成能的计算对探索半导体材料的n型和p型掺杂效率具有重要的指导意义。基于第一性原理方法,结合二维带电缺陷计算理论,系统计算了二维类石墨烯氮化铝(graphene-like AlN, g-AlN)中四种(C_Al,Si_Al,Ge_Al,Sn_Al)可能的n型掺杂体系的结构、磁学、电学以及缺陷性质。结果表明,四种体系的最稳定价态均为+1价和0价,Sn_Al具有较深的施主能级,不具备为二维g-AlN提供n型载流子的条件,而C_Al,Si_Al,Ge_Al表现为浅能级施主特性,均能在一定条件下成为理想的施主杂质,其中Si_Al具有最浅的施主特性以及最低的缺陷形成能,因而是二维g-AlN中实现n型掺杂的首选掺杂剂。另外,在p型二维g-AlN中,四种掺杂原子都会成为有效的空穴捕获中心,严重降低p型载流子导电率。研究数据将会为实验上实现二维g-AlN n型掺杂提供理论解释和指导。 相似文献
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提出了一种求解两两合作轮流博弈的四人博弈问题的混合分裂算法.为了模拟实际博弈过程,该算法由两个组内平行分裂算法和一个组间交替极小化算法构成.算法允许对博弈子问题非精确求解,反映了实际博弈中参与人的有限理性,即允许参与人在博弈过程中出现满足一定条件的误差.在适当条件下,证明了所提出的混合分裂算法全局地收敛到所考虑博弈的Nash平衡. 相似文献
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介绍了兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)的实验环(CSRe)团簇内靶装置控制系统的设计。 该内靶系统由多种设备构成,包括喷嘴测温与加热控制子系统、真空与阀门监测/控制子系统、分子泵监测与控制子系统、数据处理与流程软件子系统等部分。该系统在内靶实验中工作状态良好,满足了内靶实验的需求。在该控制系统的支持下,2010年1月第一轮辐射电子俘获物理实验顺利完成。 It is described in this paper the design of the control system for HIRFL CSRe internal target facility, in which there are many different kinds of units need to be monitored and controlled. The control system is composed of several subsystems which are designed to control the gas jet temperature, chamber vacuum, valves and molecular pumps. A human computer interaction interface is also realized to do the data acquisition, data processing and display. The whole system has been working stably and safely, it fully meets the requirements of physical experiments in the internal target facility. In January of 2010, the first physics experiment of the radioactive electron capture was finished successfully with the aids of this control system. 相似文献
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半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率。基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯氮化铝(graphene-like AlN, g-AlN)中的四种(BeAl,MgAl,CaAl,SrAl)潜在p型掺杂缺陷的结构、磁学、电学和缺陷形成能及转移能级被系统地计算。结果表明,所有缺陷体系均表现为深受主能级特性,很难为二维g-AlN提供p型载流子,它们反而会捕获g-AlN中的空穴,从而严重影响二维g-AlN材料的空穴导电率。BeAl在整个电子化学势范围内具有最小的形成能,因此更加容易掺入到g-AlN中,影响g-AlN材料的p型掺杂效率。 相似文献
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