硒化镉多晶原料的提纯

采用改进的垂直无籽晶气相法生长大尺寸高质量的CdSe单晶体要求原料的纯度高。本文根据差热(DIA)和热失重(TG)测试结果，设计出连续抽空区域升华提纯CdSe原料的新方法，用该方法提纯的原料生长出大尺寸、高质量的GtSe单晶体。等离子体质谱仪(ICP-MS)分析结果表明，新方法对CdSe的提纯是有效的，纯化后的原料可以生长出大尺寸高质量的CdSe单晶体。