从矿物宝石到光电功能晶体——解读蒋民华先生《晶体赋》

晶体美丽有用,构造和谐有序。光电功能晶体可实现光能和电能的相互转化,在微电子、光电子、通信、航天及现代军事技术等高科技领域占有重要地位。人类认识晶体,源于天然矿物。从矿物晶体的发现到光电功能晶体的人工生长和应用经历了漫长的发展,晶体种类、晶体质量、生长理论、生长技术以及应用等方面均取得了较大进展。本文简述了从矿物宝石到晶体学发展的历程,介绍了压电晶体、电光晶体、激光晶体、非线性光学晶体和闪烁晶体等几类光电功能晶体发展历程及晶体生长研究的进展,展望了未来光电功能晶体的发展趋势。     

Ti,N共掺杂4H-SiC复合增强缓冲层生长及其对PiN二极管正向性能稳定性的改善

"双极型退化"现象严重阻碍了4H-SiC双极型器件如PiN二极管等的产品化,其微观机理是电子-空穴复合条件下层错由基面位错处的扩展.为遏制"双极型退化"现象,不仅要消除漂移层中的基面位错,还需要通过生长复合增强缓冲层的方法阻止少子空穴到达含高密度基面位错片段的外延层/衬底界面.本文采用钛、氮共掺杂的方式进行缓冲层的生长...     

Investigation of transport properties of perovskite single crystals by pulsed and DC bias transient current technique

Time-of-flight (ToF) transient current method is an important technique to study the transport characteristics of semiconductors. Here, both the direct current (DC) and pulsed bias ToF transient current method are employed to investigate the transport properties and electric field distribution inside the MAPbI$_{3}$ single crystal detector. Owing to the almost homogeneous electric field built inside the detector during pulsed bias ToF measurement, the free hole mobility can be directly calculated to be about 22 cm$^{2}\cdot$V$^{-1}\cdot$s$^{-1}$, and the hole lifetime is around 6.5 μs-17.5 μs. Hence, the mobility-lifetime product can be derived to be $1.4\times 10^{-4}$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}$-$3.9\times 10^{-4}$ cm$^{2}\cdot$V$^{-1}$. The transit time measured under the DC bias deviates with increasing voltage compared with that under the pulsed bias, which arises mainly from the inhomogeneous electric field distribution inside the perovskite. The positive space charge density can then be deduced to increase from 3.1$\times10^{10}$ cm$^{-3}$ to 6.89$\times 10^{10}$ cm$^{-3}$ in a bias range of 50 V-150 V. The ToF measurement can provide us with a facile way to accurately measure the transport properties of the perovskite single crystals, and is also helpful in obtaining a rough picture of the internal electric field distribution.     

空间角(连堂讲稿)

［复习说明］ 空间角是高考中的热点,在近五年高考中,涉及到空间角的试题年年都有,见下表： 所以在复习时要高度重视,掌握空间角的各种求法．在解题时,不能仅写计算过程,立体几何汁算题的评分标准中,推理部分所占分数较多,必须写清写明推理过程,但不少考生只注意计算,缺少说理,造成不必要的失分,应引以为戒．本专题复习的难点是求空间三种角在计算之前的巧妙作图与严密论证,重点是选用合理的简捷的化归策略．［内容提要］ １．异面直线所成角的取值范围是（０,］,一般求法有： （１）平移法．在异面直线中的一条直线上（或空…     

钙长石晶体的形成机制研究

以分析纯碳酸钙、氧化硅和氧化铝为原料,通过烧结法制备钙长石晶体,研究了煅烧温度和保温时间对钙长石晶相、微观形貌的影响.结果表明:硅灰石和钙铝黄长石是钙长石合成过程的中间产物,随着煅烧温度的升高试样内部形成大量液相,液相的形成及饱和析晶是钙长石形成的主要机制.板状钙长石晶体可以在1400℃的煅烧温度下保温一定的时间(2～8 h)获得,且保温时间越长,钙长石晶体的析出程度越大,晶粒尺寸也越大.     

CH_4、H_2O在CaCO_3(010)表面吸附的第一性原理研究

基于密度泛函理论第一性原理方法,研究了CH_4和H_2O在CaCO_3(010)面上各高对称位的吸附情况,优化了CH_4与H_2O在T位、 B位和H位的吸附模型结构,计算了其在各高对称位的吸附能,并对其各自最稳定的吸附位吸附前后的物理结构和电子态密度进行了对比分析.结果表明:CH_4、 H_2O分子分别在LBⅢ位、 SBⅢ位最稳定,吸附能分别为-0.405 eV、-0.138 eV,是一种物理吸附,吸附前后键长键角的变化较小,表现为亲气;吸附后CH_4和H_2O的态密度曲线整体向低能量区偏移约7.5 eV、 5eV,吸附后CH_4和H_2O结构都更加稳定,吸附作用对CH_4和H_2O分子的电子结构影响显著.