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单质直接气相生长ZnMgSe单晶 总被引:1,自引:1,他引:0
采用高纯Zn、Mg、Se2单质为原料,以NH4Cl作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功生长出ZnMgSe单晶。通过XRD、RO-XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了ZnMgSe晶体的结构、成份以及光学特性。结果表明:ZnMgSe单晶具有良好的结晶性能,在400~800 nm范围内透过率达到40%~50%,在2.2~2.6 eV范围内存在与深能级电子复合相关的发光带。研究证明由Zn、Mg、Se2单质在输运剂NH4Cl辅助下一步直接合成ZnMgSe单晶是可行的。 相似文献
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以高纯Mg、Se单质为原料,NH4Cl作反应促进剂,温度为999~992℃,采用化学气相输运法(CVT)成功合成出MgSe多晶.采用X射线粉末衍射仪、紫外-可见-近红外分光光度计、傅立叶变换红外光谱仪以及光致发光测试系统研究了MgSe多晶的结构和光学特性.结果表明:合成物为MgSe多晶,具有NaCl型结构,禁带宽度Eg为1.98eV,在1.6eV附近内存在与施主-受主对辐射复合发光相关的发光带.研究证明由Mg、Se单质在促进剂NH4Cl辅助下直接合成MgSe多晶是一种较好的方法. 相似文献
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