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温梯法Al2O3晶体位错形貌分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用温度梯度法(Temperature Gradient Technique,简称温梯法或TGT法),定向籽晶[0001]方向,生长出φ110mm×80mm Al2O3单晶,晶体完整、透明.采用硼酸钠玻璃液作为Al2O3晶体的化学抛光和化学腐蚀剂,观察了晶体不同部位处(0001)、(112-0)晶片的化学腐蚀形貌相,(0001)切片的位错腐蚀坑呈三角形,位错密度为2×103~3×103/cm2;(112-0)切片位错腐蚀坑呈菱形,位错密度为7×103~8×103/cm2;而且等径生长部位的完整性比放肩处高.利用同步辐射X射线白光衍射实验分析了(0001)晶片的(2-021),(11-01)和(112-0)衍射面内的位错组态.确定了两组位错线的Burgers矢量,温梯法生长的Al2O3晶体中的位错主要是刃型位错. 相似文献
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同步辐射作为一种新型光源,为材料科学的研究提供了许多新的实验方法和手段,本文简要介绍了同步辐射光源的特点,并通过几个重要方面的应用,表明同步辐射对材料科学研究的重要性。 相似文献
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The distribution of Sb atoms in δ-doped silicon crystals grown by molecular beam epitaxy at different temperatures was measured using the technique of synchrotron radiation X-ray low angle reflection. The esults indicate that the doped Sb atoms are distributed exponentially in the epitaxial layers, and the 1/e decay lengths are 0.45, 0.95 and 3.5 nm for the samples grown at temperatures of 250, 300 and 350℃, respectively. For samples grown at 400℃, the 1/e decay length of the Sb atomic distribution increases drastically because of the segregation of Sb atoms during the growth process. 相似文献
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