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用CH4,H2和NH3为反应气体,利用等离子体增强热丝化学气相沉积在沉积有碳膜的Si衬底上制备了a-C:N:H纳米尖端,并用扫描电子显微镜和微区Raman光谱仪对碳膜和纳米尖端进行了表征。结果表明:Raman谱中含有与碳和氮相关的峰,且纳米尖端的Raman谱比碳膜的Raman谱有很强的荧光背景。Raman谱中的峰说明沉积的碳膜和纳米尖端是a-C:N:H薄膜和a-C:N:H尖端。a-C:N:H纳米尖端的Raman谱中强荧光背景的产生表明其在激发光源照射的过程中发射了强荧光,对a-C:N:H纳米尖端产生强荧光的机理进行了探讨。 相似文献
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以金镍复合膜作催化剂,在96%的高氢气浓度下实现了碳纳米管的定向生长,并对其生长过 程进行了深入探讨.结果表明,高氢气浓度下碳纳米管生长的实现与本实验所选用的催化剂 ——金镍复合膜有密切关系.催化剂中金的参与,促进了碳在催化剂中的扩散,提高了碳在 催化剂中的活度.与催化剂中没有金的情况相比较,金的参与有利于镍吸收气氛中的碳,从 而使镍更容易达到碳饱和,有利于在高的氢气浓度下实现碳纳米管的定向生长.
关键词:
金镍复合膜
高氢气浓度
原子氢
碳活度 相似文献
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利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长.发现在无辉光放电的情况下,碳纳米管弯曲生长,而在辉光放电时,碳纳米管准直生长,表明辉光放电对碳纳米管的准直生长起到了重要的作用.由于辉光放电的产生,在衬底表面附近形成很强的电场.相对无辉光放电时的电场,场强提高了两个数量级.本工作详细地研究了辉光放电对碳纳米管的准直生长作用. 相似文献
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以Se粉和MoO_3粉为源材料,利用热丝化学气相沉积在N_2中制备了Se和MoSe_2纳米片.利用场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线能谱仪、显微Raman光谱仪和X射线光电子谱仪对Se和MoSe_2纳米片的结构和组成进行了系统研究.结果表明:Se粉和M0O_3粉的混合与否直接影响了Se和MoSe_2纳米片的形成和结构;当Se粉和MoO_3粉充分混合时形成Se纳米片,而Se和MoO_3粉分开放置时则形成MoSe_2纳米片.研究发现这是由于Se和MoO_3粉的混合与否使Se和MoO_3在气相中的不同反应所致.对Se和MoSe_2纳米片的发光性能研究表明,它们分别产生了774,783和784 nm的发光峰,不同于单层MoSe_2纳米片的发光性能.这些结果丰富了对二维Se基纳米材料的合成和光学性能的知识,有助于对Se基二维纳米材料的光电器件的研制. 相似文献
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利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在辉光放电的情况下制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳纳米管生长的影响.结果表明随着负偏压的增大,准直碳纳米管的平均直径减小,平均长度增大.由于辉光放电的产生,在衬底表面附近形成阴极鞘层,以及在阴极鞘层内形成大量的离子和在衬底表面附近形成很强的电场导致了离子对衬底表面的强烈轰击.最后,分析和讨论了离子的轰击对准直碳纳米管生长的影响. 相似文献
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用CH4,H2和NH3作为反应气体,利用等离子体增强热丝化学汽相沉积制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳纳米管生长的影响. 结果表明,随着负偏压的增大,准直碳纳米管的平均直径减小、平均长度增大. 由于辉光放电的产生,在衬底表面附近形成阴极鞘层,并在阴极鞘层内形成大量的离子和在衬底表面附近形成很强的电场. 离子在电场的作用下对衬底表面的强烈轰击将对准直碳纳米管的生长产生影响. 结合有关理论,分析和讨论了离子的轰击对准
关键词:
准直碳纳米管
离子轰击
负偏压 相似文献
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用生物试剂氨基葡萄糖盐酸盐和葡萄糖在水溶液中合成了碳颗粒,用场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、显微Raman光谱仪和傅立叶红外光谱仪对样品的结构和组成进行了研究。结果表明,碳颗粒是球形非晶结构,直径为0.3~1.4μm。利用He-Cd激光器的325 nm线,在显微Raman光谱仪中对碳颗粒的光致发光(PL)性能进行了研究。光谱显示出中心在420 nm的弱的蓝色PL带、中心在575 nm和650 nm的强而宽的绿光和红光PL带,它们分别与官能团和带与带之间的跃迁有关。绿光和红光PL带的宽化与sp2碳颗粒的非均匀性有关。 相似文献