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β—SiCW合成工艺及反应机理的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了β-SiCw合成工艺参数和反应历程,提出了合成工艺优化参数,确定了反应进行了步骤。通过对晶须形貌、晶型、杂质含量的分析,表明本方法合成的β-SiCw具有较高的质量水平。 相似文献
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多节状SiC晶须的VS生长机理及晶体缺陷分析 总被引:4,自引:0,他引:4
本语文以稻壳为原料,对非金属催化剂合成的多节状SiC晶须进行了研究,运用TEM、XRD等分析检测技术,对SiCw的形貌及显微结构进行了分析。研究表明:SiCw 直晶为主,表现粗糙、呈多节状;晶面以β-SiC为主要晶型,少量α-SiC孪晶、位错、层错等晶体缺陷形式存在。此外,机理研究表明,多主SiCw为VS生长机理。 相似文献
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稻壳SiC晶须合成的热力学基础及VLS催化生长机理 总被引:7,自引:2,他引:5
本文对稻壳合成SiC晶须及SiC颗粒进行了热力学分析,确定了基元反应,设计了SiCWVLS生长的新型复合催化剂。研究表明:在稻壳合成SiCW的反应中,SiCp的生成是不可避免的;在新型复合催化剂作用下,SiCW的主在率可达30%以上;SiCW的生长为粗糙界面生长机制,SiCW表面光滑,为β-SiC单晶。 相似文献
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以有机立体化学中的手性分子教学为例,探讨兴趣启发、重点启发、问题启发和规律启发法等多种启发式教学方法在立体化学教学中的运用,以培养学生发现问题、分析问题、解决问题和创新的能力。 相似文献
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SiC晶须VLS生长机理及生长动力学研究 总被引:1,自引:1,他引:1
对VLS机理下稻壳合成SiC晶须(SiCw)及生长动力学进行了研究,结果表明,SiO2与C在高温下生成SiO的反应是SiC晶须生长的速率控制步骤;在形成晶须的催化剂作用下,SiC晶须的生长速率与SiO在催化剂熔球周围的浓度成正比;SiC晶须生长的催化选择性温度的增加而提高.复合催化剂可提高合成SiC晶须反应速率及催化选择性。 相似文献
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La0.8Sr0.2Fe1-xScxO3-δ催化剂的制备、表征及甲烷催化燃烧性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用甘氨酸-硝酸盐溶液燃烧法制备了钙钛矿型氧化物催化剂La0.8Sr0.2Fe1-xScxO3-δ (LSFS, x=0, 0.3,0.4, 0.5, 0.6, 0.8, 1), 利用X射线衍射(XRD)、H2程序升温还原(H2-TPR)、扫描电子显微镜(SEM)和比表面积测试等手段对催化剂进行了系统表征, 并在常压微型固定床反应器上考察了催化剂对甲烷燃烧的催化性能. 结果表明, 经空气气氛下900 °C煅烧5 h制备的LSFS均具有单一的钙钛矿结构, 在La0.8Sr0.2FeO3-δ (LSF)中掺杂Sc有助于改善催化剂的抗烧结性能, 提高催化剂的比表面积. 当LSF 中的Sc 掺杂量为0.4-0.6 时, 所形成的LSFS表现出良好的甲烷催化燃烧活性, 其中Sc 掺杂量为0.5 时, 其起燃温度(T10)和完全转化温度(T90)分别为406和563 °C, 与La0.8Sr0.2FeO3-δ和La0.8Sr0.2ScO3-δ相比, T10分别降低了14和87 °C; T90分别降低了59和95 °C. 相似文献
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