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Znse:Al电学性能的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了77~300K温度区间内ZnSe:Al的电学性能,讨论了ZnSe:Al中的缺陷及其补偿比,得出了随掺杂温度的升高,极化光学声子对载流子的散射作用变弱,电离杂质对载流子的散射作用变强的结论。同时,本文也给出了霍尔系数、载流子浓度与掺杂温度及测量温度的关系,计算了Al施主能级的电离能。 相似文献
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为研究ZnSe中的本征缺陷和A1在ZnSe中的深能级行为,首先测量了Znse单晶体中的深能级,发现只存在Ec-0.33eV一个电子陷阱。然后,通过热扩散的方法,在300℃~700℃温度范围内把A1掺杂到ZnSe单晶体中,结果发现存在Ec-0.33eV和Ec-0.70eV两个电子陷阱。本文从缺陷化学角度对ZnSe中的本征缺陷和Ec-0.70eV深能级的结构及起源进行了讨论。 相似文献
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