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通过研究(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMNT)单晶在不同方向、不同组分下高场致应变的特性,确定了〈001〉取向PMNT单晶(29%≤x≤31%)为制作层叠式驱动器的最佳组分范围,这组分的单晶具有高场致应变、低滞后而且性能较稳定的特点.研究结果表明,在保证应变曲线的线性和低滞后的前提下,将近-2kV/cm的负电场能够运用于〈001〉方向的PMNT晶体上. 40层(每片晶片尺寸为7mm×7mm×0.7mm)PMNT层叠式驱动器在电场 -1.5-10kV/cm的驱动下,可以获得38.1μm的纵向位移,负载40N的重量后,位移量减为34μm. 相似文献
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用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅(PbF2:Tb)晶体,闯杂浓度从0.008at.%至0.6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱,发现该晶体在X-射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光。FbF2:Tb晶体的光吸收起源于Tb^3 离子的4f-4f跃迁,而其光发射则源于Tb^3 离子的电子分别从其激发态^5D3和^5D4能级路迁到基态^7Fj(J=6,5,4,3,2)。 荧光强度随掺杂浓度的提高而提高,当Tb^3 离子浓度较低时,以^5D3→^7FJ跃迁发射为主,当Tb^3 离子浓度较高时,则以^5D4→^7FJ跃迁发射为主。在同一晶体中,发光强度随中心所占晶格位置的改变而改变,反映出Tb^3 离子在PbF2晶体中的分布具有分凝系数大于1的特征。推测Tb^3 离子在PbF2晶体中占据Pb格位,同时产生间隙F^-离子缺陷来平衡电价。 相似文献
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几种极性有机晶体的生长习性与形成机理 总被引:4,自引:0,他引:4
有机晶体特别是极性有机晶体, 在不同的溶剂中具有明显不同的生长习性。本文通过对4-氨基-4'-硝基二苯硫醚(ANDS)等几种典型极性有机晶体在不同溶剂中的生长习性和结晶形貌的讨论, 提出了偶极生长基元叠合模型, 从两个方面探讨了这些习性的形成机理, 即(1)有机晶体在不同的溶剂中具有不同结构和形式的生长基元(对于极性有机晶体而言, 这些生长基元都具有偶极子特征), 而不同的生长基元往晶体的各个面族上叠合的相对速率不同, 从而导致了晶体习性的改变; (2)晶体生长界面的性质不同, 特别是对于极性晶体, 晶体界面的极性不同;不同的溶剂与生长晶体的界面相互作用不同, 即使同种溶剂对晶体不同界面上的作用也不同, 因而改变了生长界面的性质,影响了生长基元在晶体界面, 特别是晶体正、负极面上的叠合速率, 从而导致了晶体形貌的变化。由此比较合理地解释了晶体所呈现的不同的生长习性, 特别是合理地解释了极性有机晶体所呈现的极性生长特征。 相似文献
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负离子配位多面体生长基元的理论模型与晶粒形貌 总被引:34,自引:7,他引:27
本文介绍了一种新的形貌判定准则--配位多面体生长习性法则.首先在负离子配位多面体生长基元模型的基础上建立了晶体的生长机理模型和界面模型,在此基础上提出了晶体形貌判定法则.即晶体的各晶面的生长速度与其结构中的配位多面体在界面上显露的元素种类有关.显露配位多面体顶点的晶面生长速度快,显露面的晶面生长速度慢,显露棱的晶面生长速度介于两者之间.此外,晶体的各晶面的生长速度还与配位多面体在界面上显露的元素数目有关.显露配位多面体元素数目多的晶面生长速度快.根据此法则成功地解释了γ-AlO(OH)晶体和极性晶体ZnO,SiO2的形貌特征.最后,本文还提出了两种晶体形貌的调制方法,即添加剂调制法和过饱和度调制法.成功地调制了ZnO晶体的形貌. 相似文献
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A new growth mechanism model, coordination polyhedron growth mechanism model, is introduced from the angle of the coordination of anion and cation to each other at the interface. It is pointed out that the force driving the growth unit to enter the crystal lattice is the electrostatic attraction force between ions, whose relative size can be approximately measured by the electrostatic bond strength (EBS) that reaches a nearest neighbor anion (or cation) in the parent phase from a cation (or anion) at the interface. The growth habits of NaCI, ZnS, CaF2 and Csl crystals are discussed, and a new growth habit rule is proposed as follows. When the growth rate of a crystal is determined by the step generation rate, the growth habit of this crystal is related to the coordination number of the ion with the smallest coordination rate at the interface of various crystal faces. The smaller the coordination number of the ion at the interface, the faster the growth rate of corresponding crystal face. When the growth 相似文献
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用改进的Bridgman法,在加入助熔剂的条件下,生长出最大尺寸为φ30×25mm^3的铌锌酸铅-钛酸铅固溶体单晶[0.91Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-0.09PbTiO3]。无宏观缺陷的晶片的典型尺寸为20×15mm^2。晶体的单晶性及其结构用X射线衍射法加以研究。所得晶体用Laue衍射法定向,取(001)晶片进行性能表征。研究了材料的介电性能,并用偏光显微镜观察了(001)晶片的电畴结构。结果表明,室温下材料的介电常数较大,为2500~5000。随着温度的升高,材料发生四方铁电相—立方顺电相的相变,相变温度为190℃左右。单晶的介电温谱呈现明显的频率色钐现象,同时,介电常数最大值的温度tm随着频率的升高而降低,观察到了电畴结构的不均匀与孪生现象。 相似文献
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