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1.
以三(2-巯吡啶基)甲烷(L)为配体合成了2个Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)的配合物:Cd(L)4(NO3)2和Zn(L)4(ClO4)2, 发现在配合物中配体的C-S键发生了断裂, 通过紫外、质谱手段研究并预测了其反应机理。单晶X-射线衍射的结果显示, 配合物1和2中金属原子均处于扭曲的四面体配位环境中, 分子间π-π堆积作用将配合物1的分子结构延伸为二维网状结构。 相似文献
2.
物理演示教学中的MCAI 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首先说明了什么是MCAI,在此基础上,论述了MCAI在物理演示教学中的特点;并且对MCAI在物理演示教学中的两种教学模式--演示型和访问型分别进行了讨论;在文章的最后,强调了MCAI在物理演示教学中的位置及其进一步的发展。 相似文献
3.
4.
以三(3,5-二甲基吡唑甲基)胺(TMPzA)及2,5-噻吩二羧酸为配体合成了2个双核Cu的配合物[Cu2(DMPzA)2(TPDC)2]ClO4 (1)和 [Cu2(TMPzA)2(TPDC)(H2O)2](ClO4)2 (2)。在1中,配体TMPzA发生裂解,以二(3,5-二甲基吡唑甲基)胺(DMPzA)与Cu配位,并在2个Cu原子之间形成一个大环,2个Cu原子之间的距离为0.786 84 nm。清除自由基实验发现,配合物1比2具有较好的清除自由基活性。 相似文献
5.
6.
Stress-induced leakage current characteristics of PMOS fabricated by a new multi-deposition multi-annealing technique with full gate last process
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In the process of high-k films fabrication, a novel multi deposition multi annealing(MDMA) technique is introduced to replace simple post deposition annealing. The leakage current decreases with the increase of the post deposition annealing(PDA) times. The equivalent oxide thickness(EOT) decreases when the annealing time(s) change from 1 to 2. Furthermore,the characteristics of SILC(stress-induced leakage current) for an ultra-thin SiO_2/HfO_2 gate dielectric stack are studied systematically. The increase of the PDA time(s) from 1 to 2 can decrease the defect and defect generation rate in the HK layer. However, increasing the PDA times to 4 and 7 may introduce too much oxygen, therefore the type of oxygen vacancy changes. 相似文献
7.
8.
根据分数阶线性系统的稳定理论,将混沌系统分成稳定的线性部分和相应的非线性部分.设计主动控制器,对非线性部分进行补偿,从而将分数阶混沌系统控制到平衡点.为了提高主动控制器的补偿能力,提出基于反馈的多最小二乘支持向量机(M-LS-SVM)拟合模型.通过减聚类方法将输入空间划分为一些小的局部空间,在每个局部空间中用LS-SVM建立子模型.为解决子模型相互之间的严重相关问题,提高模型的精度和鲁棒性,各个子模型的预测输出通过主元递归(PCR)方法连接.仿真实验表明该方法有助于提高补偿精度和系统响应指标.
关键词:
分数阶
混沌系统
多最小二乘支持向量机
反馈 相似文献
9.
以十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为模板, 采用低温固相反应法合成了硫掺杂二氧化锡(S-SnO2)纳米粉体材料, 并用XRD、XPS、SEM、UV-Vis、FTIR及HR-TEM等技术对材料进行了表征, 探讨了S掺杂SnO2纳米材料对百草枯的可见光降解性能, 分析了S掺杂效应的作用机理。结果表明, 采用固相反应法所得SnO2及S-SnO2纳米材料的禁带宽度变窄, SDBS对材料的表面结构具有一定的调控作用。S是以S(Ⅳ)和S(Ⅵ)的形式进入SnO2晶格形成Sn1-xSxO2晶体结构而不是进入SnO2晶格间隙, Sn-O-S键的弯曲振动峰介于930~980 cm-1之间。S的掺杂使SnO2纳米材料表面活性增强, 光催化降解百草枯的活性依次为SnO2 2(SDBS) 2 2(SDBS), 2 h内, S-SnO2(SDBS)样品对除草剂百草枯的光催化活性达95.2%, 其主要原因是S-SnO2(SDBS)材料表面有更多的羟基和进入SnO2晶格的S, 有利光生电荷的有效分离。 相似文献
10.
以三(2-巯吡啶基)甲烷(L)为配体合成了2个Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)的配合物:Cd(L)4(NO3)2和Zn(L)4(ClO4)2,发现在配合物中配体的C-S键发生了断裂,通过紫外、质谱手段研究并预测了其反应机理。单晶X-射线衍射的结果显示,配合物1和2中金属原子均处于扭曲的四面体配位环境中,分子间π-π堆积作用将配合物1的分子结构延伸为二维网状结构。 相似文献