不同形貌氮化硅纳米结构的制备与表征

分别通过VLS和VS生长机制得到了Si3N4纳米线和纳米带.产物经X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等表征手段进行了分析.FTIR图谱表明它们在800～1100cm-1的波数范围内有一个宽的吸收带,这是Si-N键伸缩振动模式的典型吸收带.它们的室温光致发光图谱显示,在420nm左右都有一很强的发射带,表明其将在纳米光电器件中有潜在应用.另外,Si3N4纳米线发光峰与纳米带的发光相比有少许蓝移(蓝移约4nm),这可能和晶须尺寸的少许差别有关.至于纳米带的发光强度大于纳米线的原因,可能是纳米带的比表面积相对较大,有利于悬键的形成,从而导致材料结构内缺陷的浓度较大.     

取向性二氧化硅纤维的制备及其发光性能研究

通过气相输运沉积的途径成功制备了大量定向排列的SiO2纤维.对比实验发现,取向性氧化硅纤维的生长与载气的气流量、原料的球磨处理有关.并利用XRD、SEM等方法分析表征样品,结构表明取向性纤维为无定形结构,平均直径为700 nm.在波长为260 nm的Xe灯激发下,产物的室温光致发光谱在450 nm和415 nm处分别出现两个蓝光发光峰,其将在微纳米光电器件中发挥作用.