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采用传统固相反应法制备了0.94(Na0.5 Bi0.) TiO3-0.06BaTiO3-3wt; Bi2 O3-xwt; Nd2O3(x=0,1.5)陶瓷.研究了Bi3+和Nd3+掺杂对0.94 (Na0.5 Bi05)TiO3-0.06BaTiO3陶瓷结构和电学性能的影响.结果表明,Bi2O3和Nd2O3掺杂不影响0.94(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.06BaTiO3的钙钛矿结构.3wt; Bi2O3添加使得铁电陶瓷0.94(Na0.5Bi05) TiO3-0.06BaTiO3转变为反铁电陶瓷.反铁电陶瓷0.94(Na0.5Bi0.5)TiO3-0.06BaTiO3-3wt; Bi2O3具有更高的相转变温度Tm(~320℃).Nd2O3添加不改变0.94(Na0.5 Bi0.5) TiO3-0.06BaTiO3-3wt; Bi2O3陶瓷的反铁电态,但增强了陶瓷的介电性能和弛豫性能. 相似文献
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合成了稀土配合物Eu(TTFA)3(TTFA, 2-thenoyltrifluoroacetone)掺杂的环氧基紫外负性光刻胶薄膜,采用荧光分光光度计对其光致发光特性进行了系统表征.荧光光谱分析表明,Eu(TTFA)3掺杂的光刻胶薄膜具有很宽的激发谱带(200~400 nm),且在长波紫外区表现为强激发,说明有机配体TTFA-与中心离子之间存在着比电荷迁移带更有效的能量传递.配体TTFA-的三重激发态和Eu3+的激发态能级匹配较好,能很好地敏化Eu3+而发出明亮的红光,是获得Eu3+红色荧光发射的优良配体,认证了有机配体与稀土离子之间产生有效能量传递的前提是存在"天线效应". 相似文献
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经数学推导首先得出仅考虑几何缺陷及二阶效应的梁单元转角位移方程(有3种形式,分别为轴力大于零、等于零及小于零).在此基础上对转角位移方程进行修改,并将3种情况下的转角位移方程统一为1种形式,进而得出综合考虑几何缺陷、二阶效应和半刚性连接特性的平面梁单元刚度矩阵.所得结果可用于具有任意分布几何缺陷的半刚性连接钢框架结构的整体稳定分析. 相似文献
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本文讨论一类具有空间扩散的生态—流行病模型在齐次Neumann边界条件下解的存在唯一性和一致有界性,并由线性化方法证明了该模型非负平衡点的局部渐近稳定,构造Lyapunov泛函证明半平凡平衡点的全局渐近稳定. 相似文献
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采用固相烧结工艺制备了钙钛矿结构的(K0.5Na0.5)NbO3+ xwt;ZnO(x=0,0.5,1.0,2.0)无铅压电陶瓷.研究了ZnO掺杂对(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷体系烧结行为和电学性能的影响.结果表明:ZnO掺杂能够有效地降低陶瓷烧结温度,抑制K和Na的挥发,提高陶瓷的致密性.当掺杂量为0.5 wt;、烧结温度为1115℃时,陶瓷的体积密度最大p=4.41 g/em3.所有样品的晶粒形态均为层状堆垛结构,晶粒尺寸越大,层状堆垛形态越明显.晶粒形态和尺寸的变化与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷烧结过程中液相的形成和晶粒生长机制有关.适量的液相能够有效地提高陶瓷的致密性,获得均匀的微结构.当x=0.5、烧结温度为1115℃时,陶瓷具有最佳的电学性能:d33=118pC/N,kp=0.36,Pr=15.6 μC/cm2. 相似文献
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碲锌镉(CdZnTe)是一种性能优异的室温核辐射半导体探测器材料,广泛应用于核安全、核医学以及空间科学等领域.然而,传统的CdZnTe平面探测器受制于"空穴拖尾"效应的影响,探测性能有待改善.采用改进的垂直布里奇曼法生长的In掺杂Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te单晶制备出单载流子收集的4×4像素阵列探测器,通过电流-电压(I-V)测试和γ射线能谱响应测试,研究了像素探测器的电学性能和载流子电输运性能,随之与相应的CdZnTe平面探测器进行了性能对比.结果表明,CdZnTe像素探测器的电阻率约为1.73×10~(10)?·cm,且施加100 V偏压后单像素点的最大漏电流小于2.2 nA;当施加偏压升高至300 V时,单像素点对~(241)Am@59.5 keV的γ射线的最佳能量分辨率可达5.78%,探测性能优于相同条件下制备的CdZnTe平面探测器. 相似文献