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GLOBALSTRUCTURESOFTHEPLANECUBICSYSTEMWITHTHESTELLARNODEYangDianwu(杨殿武)(JinanUniversity,济南大学,邮编:250002)YaoWeihong(姚蔚红)(JinanEd... 相似文献
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(李学敏)(杨殿武)LOCALTOPOLOGICALSTRUCTUREOFTHEPLANECUBICSYSTEMINTHEUNDETERMINEDSIGNCASE¥LiXuemin;YangDianwu(DepartmentofMathematics... 相似文献
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本文讨论了第一临界情形 Afnold 问题的平面齐性偶次系统在点(0,0)附近的拓扑结构,并给出右端多项式系数的判据。 相似文献
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三维生长温度对非故意掺杂GaN外延层性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石(0001)面上生长GaN外延层,并系统研究了三维生长温度对外延层晶体质量和残余应力的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪(HRXRD)、原子力显微镜(AFM)、光致发光光谱仪(PL)和拉曼光谱仪(Raman)分别对外延层的位错密度、表面形貌、发光性能和应力情况进行了分析.当三维生长温度分别为1060℃、1070℃和1080℃时,外延层刃位错密度分别为5.09×108/cm3、3.58×108/cm3和5.56×108/cm3,呈现先减小后增大的现象,而螺位错密度变化不显著,分别为1.06×108/cm3、0.98×108/cm3和1.01×108/cm3,同时外延层残余应力分别为0.86 GPa、0.81 GPa和0.65 GPa,呈现逐渐减小的趋势.这可能是由于三维生长温度不同时,外延层生长模式和弛豫程度发生改变所致. 相似文献