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使用聚酰亚胺(PI)作为柔性有机薄膜晶体管(OTFT)的衬底,通过掺入钛酸锶钡(BST)纳米颗粒来提高PVP聚合物栅介电层的电容,再使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)来修饰介电层,改善介电层薄膜的质量和性能,从而降低柔性OTFT的阈值电压,提高电流开关比和迁移率.测试结果表明,优化后的柔性OTFT阈值电压为-2.5V,电流开关比大于104,迁移率为0.0703 cm2/(V·s).器件在3 mm弯曲半径下依然可以正常工作,电流开关比保持在104级别. 相似文献
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在Si/SiO2衬底上使用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)制备器件介电层的修饰层,改善介电层界面质量并诱导有源层生长,从而提高有源层的结晶程度.通过真空蒸镀法生长并五苯/红荧烯双层结构有源层,制备有机薄膜晶体管(OTFT),并研究器件性能随红荧烯层厚度变化的情况.测试结果表明,修饰后的器件阈值电压为-3.55 V,电流开关比大于105,迁移率达到0.0558 cm2/V·s,亚阈值摆幅为1.95 V/dec,器件总体性能得到改善. 相似文献
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