CdZnTe单晶表面原子结构

半导体表面是一个特殊区域,其表面原子结构与体态有很大区别,而且他们对材料的整体性能又起着十分重要的影响.本文通过真空Ar<'+>离子刻蚀并原位退火的办法,获得理想清洁的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)、(111)A面和(111)B面的表面原子结构.发现(110)面为稳定面没有发生重构,而在(111)A面上发现了由空位形成的(31/2×31/2)R 30°重构,在(111)B面上发现了由Te顶戴原子形成的(2×2)重构.