排序方式: 共有1条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
13N超高纯锗单晶是制作超高纯锗探测器的核心材料。本文通过还原法获得还原锗锭,再由水平区熔法提纯获得12N高纯锗多晶,最后由直拉法生长得到13N超高纯锗单晶。通过低温霍尔测试、位错密度检测、深能级瞬态谱(DLTS)测试对13N超高纯锗单晶性能进行分析。低温霍尔测试结果显示,晶体头部截面平均迁移率为4.515×104 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.176×1010 cm-3,导电类型为p型,位错密度为2 256 cm-2;尾部截面平均迁移率为4.620×104 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为1.007×1010 cm-3,导电类型为p型,位错密度为2 589 cm-2。晶体深能级杂质浓度为1.843×109 cm-3。以上结果... 相似文献
1