溶剂热合成CdS纳米棒及光学性能研究

通过传统的溶剂热技术,以CdCl2·2.5H2O和硫脲(H2NCSHN2)为镉源和硫源,在不同的反应时间下溶剂热(无水乙二胺)合成了CdS纳米棒.X射线衍射(XRD)分析表明了产物是六方相CdS,扫描电镜(SEM)观察了产物的形貌随反应时间的变化;拉曼(Raman)图谱显示了CdS纳米晶出现了红移;光致发光谱(PL)分析表明CdS纳米晶出现一定的蓝移.     

溶剂热再结晶合成由纳米颗粒自组装成的一维CdS纳米棒

采用两种不同的溶剂热路径合成出了不同形貌和尺寸的CdS纳米晶, 一种是以无水乙二胺(en) 为溶剂, CdCl₂·2.5H₂O和硫脲(H₂NCSH₂N) 为镉源和硫源, 在不同反应温度(160 ℃-220 ℃ 下制备出了CdS纳米晶, 讨论温度对CdS纳米晶生长的影响; 另一种是以en为溶剂, 将在160 ℃下合成的产物在200 ℃下原位再结晶生长2-8 h, 分析原位生长时间对CdS纳米晶生长的影响. 通过X射线衍射(XRD)、 扫描电子电镜(SEM) 和透射电子电镜(TEM) 等表征产物的物相、 形貌和微结构, 分析可知: 两种路线合成的产物均为六方相CdS; 当温度为160 ℃时, 产物形貌为纳米颗粒状, 当温度高于160 ℃时, 产物为CdS纳米棒状; 同时, 在200 ℃下原位再结晶生长不同时间后发现产物形貌由纳米颗粒转变为纳米棒, 通过场发射扫描电镜(HRTEM) 分析可知: 纳米棒是由零维纳米颗粒自组装而成. 最后, 讨论了影响产物CdS纳米晶形貌转变的因素和纳米棒的生长机理.     

Cd团簇的第一性原理研究

基于密度泛函理论（DFT）中的广义梯度近似（GGA）对Cdn(2≤n≤13)团簇进行了结构优化。其基态结构由较为松散平面结构向紧凑型堆积,主要以三角或四角双锥结构为基本单元,通过边戴帽或面戴帽形成较为稳定的Cdn团簇。随着原子数目增加,Cdn(2≤n≤13)团簇的稳定性在增强,结合该团簇的HOMO- LUMO能隙分布,发现n=4,10是铬团簇的幻数。通过电荷转移和垂直电离势（VIPs）计算发现n=6是Cdn团簇原子间相互作用力由范德瓦尔斯力向共价键结合方式转变的转折点。     

SnS片状纳米晶的制备及其表征

用水热法制备了SnS片状纳米晶.通过X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),透射电子显微镜(TEM),X射线能谱(EDS)等方法对所制备的样品SnS粉晶的结构形貌及组分进行了表征.研究了影响合成SnS片状纳米晶的几个因素,讨论了片状纳米晶生长过程与(040)晶面择优取向的关系,并分析了SnS片状纳米晶的合成机理.     

Structural characterization of indium-rich nanoprecipitate in InGaN V-pits formed by annealing

InGaN layers capped with GaN were annealed at 550℃ for 1 hour. During annealing, cracks appeared and dissolved In GaN penetrated through the microcracks into the V-pits to form indium-rich nanoprecipitates. Some precipitates, in-situ annealed under nitrogen ion irradiation by MBE, were confirmed to be cubic GaN on the tops of precipitates, formed by nitriding the pre-existing Ga droplets under nitrogen ions irradiation.