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1.
巯基乙酸锑配合物的合成与X射线粉末衍射数据指标化 总被引:2,自引:0,他引:2
一些锑和铋的配合物可以应用于医药研究[1,2 ] ,已合成了许多锑的有机配体配合物[3~ 7] ,但其中大多数没有生物活性。因此 ,研究锑或铋离子的配合物不仅对主族元素化学、生物无机化学而且对医药都有着非常重要的意义。我们用三氯化锑与巯基乙酸液相反应法合成的二巯基乙酸锑 (Ⅲ)配合物 ,其组成为HSb(SCH2 COO) 2 ,用X射线粉末多晶衍射数据指标化来研究配合物晶体结构[8] 。1 实验部分1 1 仪器与试剂EA - 1 1 0 6型元素分析仪 (意大利卡拉欧巴公司制造 ) ,D Max -YB型多晶X射线粉末衍射仪(日本理学 ,CuKα射线 ,… 相似文献
2.
3.
铕掺杂BaPbO3的EXAFS研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用扩展X射线吸收精细结构方法,研究了铕掺杂BaPbO3多晶粉末中Eu,Pb两种原子的近邻结构。Eu的掺杂,导致八面体中金属Pg,Eu的配位数降低。 相似文献
4.
5.
用浸渍法制备了含3%Fe_2O_3的载体为γ-Al_2O_3的负载型氧化铁催化剂,并用MB,TEM,ESCA和AES对该催化剂在水煤气变换反应的各个阶段进行了测试。结果表明,在反应前催化剂上存在一种类似于FeAlO_3的含Fe~(3+)和Al~(3+)的表面氧化物。在反应条件下还原后,同时存在类似于FeAlO_3,FeAl_2O_4和Fe_3O_4的表面化合物,并且铁离子的分散度也提高了。 相似文献
6.
7.
采用高温熔融-自发结晶法成功获得一种新型混合金属硫化物Ba7AgGa5S15.该化合物结晶于非中心对称的P31c空间群(No.159),晶胞参数为a=0.964 53(10) nm,c=1.805 9(4) nm,Z=2.其结构是由[Ga4 S10] T2超四面体与[AgS4]四面体共顶点连结形成的含有18元环孔道的三维网状框架,孤立的[Ga(2)S4]四面体填充在孔道中,Ba2+填充在该三维框架结构的空隙当中.第一性原理计算研究了该化合物的电子结构、态密度、双折射率、二阶非线性光学系数,以及倍频密度.结果 表明,该化合物具有大的光学带隙(3.76 eV),其带隙主要由S3p,Ba5d和Ga4s轨道决定;其d33方向上的倍频系数约为AgGaS2的0.4倍,主要倍频贡献来源于[AgS4]和[GaS4]四面体.该研究表明在Ag-Ga-S体系中引入Ba2+,形成的Ba7 AgGa5S15表现出比AgGaS2更宽的带隙,有利于产生高的激光损伤阈值(LDT). 相似文献
8.
Design of diamond-shape photonic crystal fiber polarization filter based on surface plasma resonance effect 下载免费PDF全文
A novel plasmonic polarization filter based on the diamond-shape photonic crystal fiber(PCF) is proposed. The resonant coupling characteristics of the PCF polarization filter are investigated by the full-vector finite-element method. By optimizing the geometric parameters of the PCF, when the fiber length is 5 mm, the polarization filter has a bandwidth of 990 nm and an extinction ratio(ER) of lower than -20 dB. Moreover, a single wavelength polarization filter can also be achieved, along with an ER of -279.78 dB at wavelength 1.55 μm. It is believed that the proposed PCF polarization filter will be very useful in laser and optical communication systems. 相似文献
9.
以光子为信息传输媒介的光子集成芯片,具有高带宽、高速率、高灵敏度等优点,在光通信、光互联、光学传感等领域得到了广泛的研究与应用。为了进一步提高光子集成芯片的集成度、扩展光子集成芯片的功能,在原本二维平面的光子集成芯片的基础上,通过晶圆键合、气相沉积、磁控溅射等方法,制备三维集成光子芯片。利用多层堆叠的方式,使光子集成芯片在厚度上进行拓展,在紧凑的尺寸上,实现大规模集成光子芯片的制备。本文介绍了几种三维光子集成芯片的材料平台与制备工艺,包括单晶硅(c-Si)键合、SiN-on-SOI、非晶硅(a-Si)沉积、多晶硅(p-Si)沉积和聚合物三维光子集成芯片制造平台,结合关键器件与在光互连、光通信、激光雷达等领域的应用,介绍了不同工艺平台的发展现状与挑战。 相似文献
10.