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InGaAs/GaAsP strain-compensated multiple quantum wells (SCMQWs) and strained InGaAs/GaAsmultiple quantum wells (MQWs) were grown on GaAs substrates by metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE). The results of double crystal X-ray diffraction (DCXRD) revealed that strain relief had beenpartly accommodated by the misfit dislocation formation in the strained MQW material. It led to thatthe full width half maximums (FWHMs) of superlattice satellite peaks are broader than those of SCMQWstructures, and there was no detectable room temperature photoluminecence(RT-PL)for the strained 相似文献
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以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20-300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(2.83 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级. 相似文献
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以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20—300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶18.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(283 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级.
关键词:
x纳米线')" href="#">SiOx纳米线
碳辅助化学气相沉积法
傅里叶红外吸收
光致发光 相似文献
4.
以二茂铁和硅油作为催化剂和原料,利用高温裂解硅油为C,Si,O源,在常压N2和H2混合气氛的化学气相沉积管式炉中制备了大量直径为5—40 nm、长数百纳米的非晶SiO2纳米线簇及粒径为100—300 nm的C-Si-O实心纳米球. 利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜对产物形貌进行表征.Fourier红外吸收谱显示出非晶SiO2所具有的474,802和1100 cm-1三个特征峰;SiO2纳米线簇的光致发光光谱具有较强440 nm蓝光发光峰;而C-Si-O(原子数之比为1.13∶1∶2.35)纳米球具有奇特的红绿蓝(625,540,466 nm)三色光致发光谱.
关键词:
2纳米线簇')" href="#">SiO2纳米线簇
C-Si-O纳米球
高温裂解
Fourier红外谱 相似文献
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通过高温裂解法制备了非晶SiO_x:C颗粒,该颗粒在空气中经不同温度进行煅烧.利用傅里叶红外光谱、扫描电子显微镜和荧光光谱仪对SiO_x:C颗粒样品的结构、形貌和光学性质进行了研究.结果显示:随着煅烧温度的升高,样品的荧光光谱的峰位发生蓝移;当煅烧温度为500℃时,样品的荧光峰蓝移到417 nm处,且强度最强;而且该颗粒拥有红、绿、蓝三色的荧光效应;但经高温(600℃和800℃)煅烧后,样品的荧光强度大大降低.我们认为这种现象与样品被充分氧化后其中的氧缺陷减少有关. 相似文献
7.
利用碳辅助CVD方法, 在1100~1140 ℃、常压、N2/H2气氛下, 以Fe-Al-O复合体系为催化剂, 在石英衬底上制备了大量非晶氧化硅纳米线. 该纳米线直径为20~200 nm, 长数百微米. 利用透射电镜、扫描电镜及电子能谱对氧化硅纳米线的形貌及组分进行了表征与分析; FTIR光谱显示了非晶氧化硅的3个特征峰(482, 806和1095 cm-1)和1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰. 氧化硅纳米线的光致发光光谱(PL)表明其具有较强的438 nm荧光峰. 相似文献
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