多芳基吡咯衍生物的发光性质及其应用

荧光分子在良溶剂中基本不发光或发光较弱,而在聚集状态下发光较强的现象,称为聚集诱导发光(Aggregation-induced emission,AIE)现象,这与传统的聚集导致猝灭(Aggregation-caused quenching,ACQ)现象相反。本文研究了多苯基吡咯衍生物的结构与发光性能的关系。通过比较吡咯衍生物的单晶结构和发光性质发现扭曲的结构可以限制共轭发光基团的分子内旋转(RIR),这是产生AIE现象的主要原因。羧酸化的吡咯衍生物可以对Al³⁺实时、选择性检测。由DMF诱导的三苯基吡咯羧酸衍生物(TPPA)重结晶在固态时出现可控的荧光发射,它具备很好的温度选择性,响应迅速,并可以循环利用,这证明TPPA可以作为一种热响应材料用于温度监控设备中。     

蓝色聚苯乙烯胶体晶体膜的制备及其呈色机理研究

以粒径为340±10 nm的单分散聚苯乙烯微球为原料,采用垂直沉积法制备了蓝色聚苯乙烯胶体晶体膜.通过研究不同组装容积对聚苯乙烯胶体晶体膜的微观形貌和宏观呈色性能的影响规律,探索制备大面积蓝色聚苯乙烯胶体晶体膜的方法.结果表明,当聚苯乙烯乳液浓度为0.1wt;,干燥温度为40℃,自组装容积为50 mL时,所得聚苯乙烯胶体晶体膜呈现高质量的密排六方结构,宏观上呈现均匀明亮的蓝色,该蓝色具有一定的角度依赖性.研究发现,采用该方法制备聚苯乙烯胶体晶体膜时,在基片上和玻璃器皿壁上同时进行着垂直自组装.同时,在玻璃器皿底部也进行着蒸发自组装,形成了较大面积的蓝色聚苯乙烯胶体晶体膜,有望为制备大面积聚苯乙烯胶体晶体膜提供新的方法.     

双钙钛矿卤化物Cs2AgFeX6（X = Cl，Br，I）电子结构和光学性质的第一性原理研究

近年来,银卤化物双钙钛矿作为铅基杂化卤化物钙钛矿的潜在环保替代品得到了广泛的研究。最近实验上合成的新型无铅双钙钛矿单晶材料Cs2AgFeCl6是一种立方结构半导体,吸收光谱可拓宽至800 nm。本论文采用密度泛函理论的第一性原理方法,对Cs2AgFeX6（X = Cl,Br,I）的电子结构和光学性质进行研究,讨论了二者之间的内在关联,并分析了X位元素的改变对材料性质的影响。电荷密度计算结果显示,由Cl到I,Fe-X键逐渐减弱,即原子对电荷的束缚能力减弱。另一方面,三种材料的带隙宽度是逐渐减小的,Cs2AgFeCl6和Cs2AgFeBr6带隙分别为1.40 eV和0.91 eV,而Cs2AgFeI6则呈现金属性质。Cs2AgFeX6双钙钛矿的光谱特征峰随 X 位原子序数的增加明显红移,且在可见至红外光波段均有明显的光吸收：Cs2AgFeCl6在534 nm处的吸收系数达到21.28×104 cm-1,Cs2AgFeBr6在712 nm处的吸收系数为20.54×104 cm-1,而Cs2AgFeI6在1200 nm后的红外波段有一极宽的吸收峰,吸收系数可以达到10×104 cm-1。本论文为Cs2AgFeX6（X = Cl,Br,I）在光电子器件领域的广泛应用提供了理论指导。